Cuprins
- 1. TRANZISTORUL BIPOLAR. 3
- 1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile tranzistorului bipolar. 3
- 1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului. 4
- 1.3. Regimul de lucru şi proceselefizice în tranzistorul bipolar. 5
- 1.3.1. Regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare. 5
- 1.3.2. Regim de blocaj. 6
- 1.3.3. Regim de saturaţie. 6
- 1.3.4. Regim activ. 6
- 1.3.5. Regim de inversie. 11
- 1.3.6. Coeficientul diferenţial de amplificare după curent . 12
- 1.3.7. Modelul Ebers – Moll.13
- 1.4. Caracteristicile statice pentru tranzistorul bipolar.14
- 1.4.1. Modalităţile caracteristicilor statice.14
- 1.4.2. Caracteristicile pentru cuplaj bază comună.15
- 1.4.3. Caracteristicile pentru cuplaj emitor comun.. 18
- 1.5. Sistemul de parametri diferenţiali ai tranzistorului bipolar.21
- 1.5.1. Tranzistorul ca cuadripol activ.21
- 1.5.2. Schemele formale pentru substituirea tranzistorului .25
- 1.5.3. Determinarea parametrilor diferenţiali aitranzistorului după caracteristicile statice.27
- 1.6. Schemele echivalente ale tranzistoruluila frecvenţă joasă .30
- 1.6.1. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea joncţiunii emitorului.31
- 1.6.2. Rezistenţa diferenţială şi capacitatea joncţiunii colectorului.32
- 1.6.3. Rezistenţa de volum a bazei .33
- 1.6.4. Schema echivalentă pentru cuplaj bază comună.34
- 1.6.5. Schema echivalentă pentru conectarea emitorului comun.36
- 1.7. Legătura dintre parametrii fizici ai tranzistorului şi parametrii h .39
- 1.7.1. Rolul parametrilor h în schemaechivalentă şi calculul lor.39
- 1.7.2. Determinarea parametrilor fizici după parametrii h .41
- 1.8. Dependenţa parametrilor tranzistorului de temperatură.42
- 1.8.1. Influenţa temperaturii asupra parametrilor semiconductorilor.42
- 1.8.2. Modificarea parametrilor tranzistoarelor bipolare la variaţia temperaturii.44
- 1.8.3. Dependenţa caracteristicilor tranzistorului bipolar de temperatură.47
- 1.8.4. Regimul limită de funcţionare pentru tranzistoarele bipolare la variaţia temperaturii.50
- 1.9. Dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă.53
- 1.9.1. Dispersia purtătorilor de sarcină în bază.53
- 1.9.2. Dependenţa coeficientului de transfer după curent de frecvenţă.54
- 1.9.3. Frecvenţa de tăiere, CAF, CPhF şi alţiparametrii ai tranzistorului.57
- 1.9.4. Metode de îmbunătăţire a caracteristicilorde frecvenţă. Tranzistoare bipolare cu drift .64
- 1.9.5. Schemele echivalente ale tranzistoruluibipolar la frecvenţe înalte.66
- Bibliografie.73
Extras din curs
1. TRANZISTORUL BIPOLAR
1.1. Noţiunea de tranzistor bipolar. Structura şi joncţiunile
tranzistorului bipolar
Tranzistor bipolar este numit dispozitivul electronic cu trei pini şi două sau mai multe joncţiuni p-n ce interacţionează între ele. În tranzistor se rânduiesc trei regiuni semiconductoare, pentru care pe placheta de izolator din Si-i, prin metoda epitaxial - planară se formează regiunile colectorului (C), bazei (B) şi emitorului (E) (fig.1.1). Pentru aceasta, în regiunea Si-n, ce serveşte ca colector, prin metoda difuziei este formată regiunea bazei Si-p. În această regiune, prin metoda difuziei locale, este format emitorul Si-n cu concentraţie majoră a impurităţilor donoare.
Fig.1.1. Structura tranzistorului bipolar tip n-p-n
La frontiera regiunii emitorului cu cea a bazei şi de asemenea la frontiera regiunii bazei cu cea a colectorului se formează două joncţiuni p-n – emitor şi colector (după denumirea regiunilor laterale ale structurii). Joncţiunile interacţionează dacă distanţa între ele , numită lăţimea bazei, este cu mult mai mică ca lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină mobili ( ).
Lungimea de difuzie este distanţa pe care o parcurge electronul sau golul din momentul apariţiei în semiconductor până la recombinare.
De regulă, suprafaţa joncţiunii colectorului este mai mare ca suprafaţa joncţiunii emitorului. Regiunea emitorului trebuie să posede o electroconductibilitate mai înaltă ca cea a bazei şi a colectorului. Concentraţia impurtăţilor în regiunile tranzistorului bipolar trebuie să respecte inegalitatea
. (1.1)
1.2. Tranzistorul bipolar ca element al circuitului
În dependenţă de alternarea regiunilor, după tipul de electroconductibilitate, se deosebesc structuri tip p-n-p şi n-p-n. În fig.1.2 sunt prezentate structurile p-n-p şi n-p-n ale tranzistorului bipolar şi reprezentarea lor în circuitele electrice.
Fig.1.2. Reprezentarea tranzistoarelor bipolare
Ca element al circuitului electric, tranzistorul bipolar este utilizat în aşa mod, ca unul din pini să fie conectat la intrare, iar altul – la ieşire. Al treilea pin este comun. În dependenţă care din pini este comun, se deosebesc trei circuite de conectare ale tranzistoarelor bipolare:
- bază comună (BC);
- emitor comun (EC);
- colector comun (CC).
În fig.1.3. sunt prezentate aceste trei modificări de cuplare a tranzistorului bipolar în circuitul electric.
Fig.1.3. Schemele de conectare ale tranzistoarelor bipolare
Preview document
Conținut arhivă zip
- Tranzistor Bipolar.doc