Noua tehnologie a memoriei DDR - DDR 2, următoarea generație

SCURT ISTORIC AL MEMORIEI.

De-a lungul anilor hardware-ul calculatoarelor a suferit multiple transformări datorate măririi complexităţii problemelor ce se doreau a fi rezolvate.

Primele generati se caracterizau prin folosirea tehnologiei tuburilor catodice. Lămpile însă erau ineficiente pe post de comutatoare. Ele au creat o problemă importantă la primele sisteme de calcul deoarece consumau foarte mult curent, degajau o cantitate foarte mare de căldură şi aveau un timp de viaţă scazut.

Aceste calculatoare erau foarte voluminoase şi capacitate limitată de memorie şi procesare. Mărimea memoriei era de doar 2 kbytes şi o viteză de 10 kilo instrucţiuni pe secundă. Pentru stocarea datelor pe suport extern se foloseua cartele perforate.

Incepind cu generatia II sa schimbă tehnologia datorită descoperirii tranzistorului. Sistemul de calcul construit cu tranzistoare puse pe cablaje era mult mai mic, tranzistoarele fiind mai mici decât tuburile catodice, mai bune, mai ieftine, prezentând şi avantajul consumului mai mic de curent şi degajării de căldură mai redusă. Mărimea memoriei pe RAM a ajuns la 32 kilobytes şi o viteză de 200-300 mii instrucţiuni pe secundă

Generaţia a III-a foloseşte tehnologia circuitelor integrate, un circuit semiconductor care conţine mai multe tranzistoare pe acelaşi suport de bază şi realizează legătura între tranzistoare fără ajutorul firelor. Primul circuit integrat, construit în anul 1959, conţinea numai şase tranzistoare. În anul 1969 , compania Intel a produs un cip de memorie de 1 kilobyte, ceea ce nu este prea mult în comparaţie cu standardele de astăzi. Generatia a IV-a (1979-prezent) este generaţia circuitelor integrate pe scară foarte largă (VSLIC). Tehnologia VSLIC a dus la realizarea unor cip-uri ce conţin între 200000 şi peste 1 milion de circuite (pe cip).

În ultimi ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert datorită programelor ce utilizează tot mai multă memorie dar şi datorită performanţelor memoriei RAM îl oferă comparaţie cu alte tehnologii de stocare a informaţiei. În acelaşi timp performanţele noilor module au fost înbunataţite, au scazut timpii de acces iar viteza bus-ului a crescut . Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factori de ordin tehnic, unul ar fi evoluţia procesoarelor, care prin creşterea frecvenţei intoduc necesitatea creşteri performanţelor pentru memorie.

II. MEMORIA RAM.

La ora actuală, există mai multe tipuri de memorii RAM, dar în general sînt bazate pe celula DRAM care este de fapt o combinaţie de tranzistoare si condensatori. Performanţele orcarei memorii este calculată cu formula : viteza (Mb/s)=lăţimea de bandă (biţi) x frecvenţa (MHz).

Deci pentru a mări performanţele trebuie umblat la magistrala memoriei sau la frecvenţa de funcţionare sau la amîndouă. Memoria RAM este concepută sub formă de matrice, pentru a scrie sau citi informaţia controllerul transmite numărul rîndului ce conţine informaţia dorită. Asfel semnalul este activat dar pînă cind coloana să potă fi accesată mai este nevoie de cîteva perioade de tact. Acest timp se numeşte latenţă RAS-to-CAS.După ce şi semnalul CAS este activat mai trec citeva perioade de tact pină cind adresa dorită este accesată. Această perioadă (latency) este 2 sau 3 pentru SDRAM si 2 sau 2.5 pentru DDRAM.

Memoria SDRAM este echivalentă cu un grup de celule , buffer-e I/O, precum şi circuistica de alimentare şi regenerare. Toate aceste trei subsisteme funcţionează la aceiaşi frecvenţă-funcţionare sincronă. La o frecvenţă de 100 MHz şi un bus de 64 de biţi avem o lăţime de bandă de 800 MB/s. Datele sînt transferate o singură dată per tact , pe zona de urcare a semnalului de ceas (vezi figura 1).