Tranzistorul cu Efect de Camp (TEC)- Field Effect Transistor - FET

Imagine preview
(7/10 din 2 voturi)

Acest curs prezinta Tranzistorul cu Efect de Camp (TEC)- Field Effect Transistor - FET.
Mai jos poate fi vizualizat un extras din document (aprox. 2 pagini).

Arhiva contine 1 fisier pdf de 18 pagini .

Profesor: Florin N.

Iti recomandam sa te uiti bine pe extras si pe imaginile oferite iar daca este ceea ce-ti trebuie pentru documentarea ta, il poti descarca.

Fratele cel mare te iubeste, acest download este gratuit. Yupyy!

Domeniu: Automatica

Extras din document

TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP ("TEC")-"Field Effect Transistor" ("FET")

E un tranzistor uni-polar (cu purtatori de sarcina de un singur tip, n sau p), spre deosebire de

tranzistorul bi-polar, TB (la care conductia e sustinuta de ambele tipuri de sarcini mobile,

chiar daca, functie de pozitia lor, electronii si golurile îsi trec unii altora

preponderenta).

Structuri: A TEC cu (poarta-)

jonctiune [ "TEC-J" ( "J-FET" ) ].

Prezentam, pentru început, o structura

"didactica", cu doua axe de simetrie (în

practica, lipseste, în general, simetria

G-B si chiar S-D din figura alaturata).

Modelarea se poate face, în mare parte,

unidimensional (la fel ca pentru

modelele introductive ale TB).

Denumirea improprie de "grila" se

pastreaza, înca de la tuburile electronice,

pentru electrozii de comanda ai

dispozitivelor active.

În practica se recurge la tehnologii planare

bazate, mai ales, pe difuzii succesive (a se

vedea figura alaturata- s-a pierdut simetria

G-B, se pastreaza simetria S-D) :

Revenind la "structura didactica", aici se poate aprecia usor si functionarea TEC cu dubla

poarta (

"tetroda (din nou o denumire preluata de la tuburile electronice) cu

efect de câmp". Semnalele de comanda de la cele doua porti îsi combina ("mixeaza") actiunea

asupra transferului de sarcina de la sursa la drena. Se poate realiza astfel, de exemplu,

controlul (cu un potential continuu V G2 , de comanda pe G2) al amplificarii semnalului mic

de c.a. (potentialul, de intrare, V g1) sau chiar multiplicarea

(daca, pe lânga V G2 , v G2 (t) are si o mica componenta

alternativa de valoare efectiva V g2 ), din iesirea i D (t) se

poate extrage (de exemplu prin filtrare, cunoscând

domeniile spectrale ale vg1(t) si vg2 (t) ) componenta

alternativa I d proportionala (~) cu produsul Vg1 . Vg2

Pentru descrierea simplificata a functionarii, consideram TEC o rezistenta (cu bornele S si D)

comandata (electrodul de comanda fiind pe grila si substratul legate împreuna) - un "transrezistor".

Presupunem sursa la masa (referinta de potential), studiind caracteristicile de

iesire în regim continuu, I ( S D D

fixat de o ST

continua,

având ca

parametru potentialul continuu,

de comanda, V G , fixat de o alta

ST continua, reglabila. Rezulta

schema de ma-sura alaturata :

Cazuri de polarizare :

Latimea regiunilor de sarcina

spatiala ("RSS"),

 l RSS l RSS

( jonctiuni

Observatie : Se evita, de obicei, V G > 0 si, în orice caz, se evita VG > ¦0 (tensiunea de

deschidere a jonctiunilor p+n). Chiar daca nu se distruge, TEC nu functioneaza cu putere

in acest circuit

de masura )

de comanda. I in acest caz I in cazul polarizarii

inverse a jonctiunilor

d 10-8

ru

curentii inversi ai jonctiunilor cu Si

G G

e ordinul A

nA nA tipic pent

Fisiere in arhiva (1):

  • Tranzistorul cu Efect de Camp (TEC)- Field Effect Transistor - FET.pdf

Alte informatii

caracteristica de functionare a TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP ("TEC"), Catedra de Automatica