Extras din curs
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP ("TEC")-"Field Effect Transistor" ("FET")
E un tranzistor uni-polar (cu purtatori de sarcina de un singur tip, n sau p), spre deosebire de
tranzistorul bi-polar, TB (la care conductia e sustinuta de ambele tipuri de sarcini mobile,
chiar daca, functie de pozitia lor, electronii si golurile îsi trec unii altora
preponderenta).
Structuri: A TEC cu (poarta-)
jonctiune [ "TEC-J" ( "J-FET" ) ].
Prezentam, pentru început, o structura
"didactica", cu doua axe de simetrie (în
practica, lipseste, în general, simetria
G-B si chiar S-D din figura alaturata).
Modelarea se poate face, în mare parte,
unidimensional (la fel ca pentru
modelele introductive ale TB).
Denumirea improprie de "grila" se
pastreaza, înca de la tuburile electronice,
pentru electrozii de comanda ai
dispozitivelor active.
În practica se recurge la tehnologii planare
bazate, mai ales, pe difuzii succesive (a se
vedea figura alaturata- s-a pierdut simetria
G-B, se pastreaza simetria S-D) :
Revenind la "structura didactica", aici se poate aprecia usor si functionarea TEC cu dubla
poarta (
"tetroda (din nou o denumire preluata de la tuburile electronice) cu
efect de câmp". Semnalele de comanda de la cele doua porti îsi combina ("mixeaza") actiunea
asupra transferului de sarcina de la sursa la drena. Se poate realiza astfel, de exemplu,
controlul (cu un potential continuu V G2 , de comanda pe G2) al amplificarii semnalului mic
de c.a. (potentialul, de intrare, V g1) sau chiar multiplicarea
(daca, pe lânga V G2 , v G2 (t) are si o mica componenta
alternativa de valoare efectiva V g2 ), din iesirea i D (t) se
poate extrage (de exemplu prin filtrare, cunoscând
domeniile spectrale ale vg1(t) si vg2 (t) ) componenta
alternativa I d proportionala (~) cu produsul Vg1 . Vg2
Pentru descrierea simplificata a functionarii, consideram TEC o rezistenta (cu bornele S si D)
comandata (electrodul de comanda fiind pe grila si substratul legate împreuna) - un "transrezistor".
Presupunem sursa la masa (referinta de potential), studiind caracteristicile de
iesire în regim continuu, I ( S D D
fixat de o ST
continua,
având ca
parametru potentialul continuu,
de comanda, V G , fixat de o alta
ST continua, reglabila. Rezulta
schema de ma-sura alaturata :
Cazuri de polarizare :
Latimea regiunilor de sarcina
spatiala ("RSS"),
l RSS l RSS
( jonctiuni
Observatie : Se evita, de obicei, V G > 0 si, în orice caz, se evita VG > ¦0 (tensiunea de
deschidere a jonctiunilor p+n). Chiar daca nu se distruge, TEC nu functioneaza cu putere
in acest circuit
de masura )
de comanda. I in acest caz I in cazul polarizarii
inverse a jonctiunilor
d 10-8
ru
curentii inversi ai jonctiunilor cu Si
G G
e ordinul A
nA nA tipic pent
Preview document
Conținut arhivă zip
- Tranzistorul cu Efect de Camp (TEC)- Field Effect Transistor - FET.pdf