Dispozitive și Circuite Electronice 1

Curs
8.5/10 (17 voturi)
Domeniu: Electronică
Conține 1 fișier: pdf
Pagini : 46 în total
Cuvinte : 15155
Mărime: 606.95KB (arhivat)
Publicat de: Olimpiu A.
Puncte necesare: 0
Universitatea “Petru Maior” Facultatea de Inginerie Catedra de Inginerie Electrica

Cuprins

  1. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE
  2. 1.1 Jonctiunea p-n
  3. 1.1.1 Jonctiunea p-n la echilibru termic
  4. 1.1.2 Caracteristica statica a jonctiunii p-n. Ecuatia diodei ideale
  5. 1.1.3 Strapungerea jonctiunii p-n
  6. 1.1.4 Circuitul echivalent al jonctiunii p-n
  7. 1.2.Diode semiconductoare
  8. 1.2.1 Diode redresoare. Caracteristica statica. Functionare
  9. 1.2.2 Diode varicap.
  10. 1.2.3 Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica statica. Functionare. Stabilizator parametric.
  11. 1.3 Tranzistorul bipolar
  12. 1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
  13. 1.3.2 Principiul de functionare (efectul de tranzistor)
  14. 1.3.3 Componentele curentilor prin tranzistor
  15. 1.3.4 Descrierea functionarii în regiunea activa normala (conexiunile BC, EC)
  16. 1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
  17. 1.3.6.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
  18. 1.3.6.1. Caracteristicile statice în conexiunea baza comuna (BC)
  19. 1.3.6.2. Caracteristicile statice în conexiune emitor comun (EC)
  20. 1.3.7 Polarizarea tranzistorului într-un punct dat de functionare, în regiunea activa
  21. 1.3.8.Limitari în functionare datorata variatiei temperaturii si disipatiei de putere
  22. 1.3.8.1 Variatia caracteristicilor electrice cu temperatura
  23. 1.3.8.2 Stabilizarea PSF în raport cu variatiile de temperatura
  24. 1.3.9.Tranzistorul bipolar în regim dinamic
  25. 1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
  26. 1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
  27. 1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun
  28. 1.3.10 Caracteristica dinamica si limitarea amplitudinii semnalului
  29. 1.4 Tranzistorul cu efect de câmp cu jonctiune (TEC-J)
  30. 1.4.1 Introducere. Simboluri.Notatii.Functionare
  31. 1.4.2 Caracteristici statice de iesire si de transfer (canale n si p). Regim liniar. Regim de saturatie
  32. 1.4.3 Polarizarea TEC-J.Scheme de polarizare. Dreapta de sarcina. Punct static de functionare
  33. 1.4.4 Modelul de semnal mic pentru TEC-J. Frecvente joase si înalte.
  34. 1.5 Tranzistorul cu efect de câmp tip "MOS" (TEC-MOS)
  35. 1.5.1.Introducere. Simboluri.Notatii.Functionare. Tipuri de caracteristici.
  36. 1.5.2.Caracteristici statice de iesire si de transfer (canale n si p). Regim liniar. Regim de saturatie
  37. 1.5.3.Polarizarea TEC-MOS (canal initial si indus). Scheme de polarizare pentru canal indus si
  38. canal initial. Dreapta de sarcina. Punct static de functionare.
  39. 1.5.4.Model de semnal mic pentru TEC-MOS. Frecvente joase si înalte.
  40. 1.6 Dispozitive electronice uni- si multijonctiune
  41. 1.6.1.Dioda pnpn. Caracteristica curent-tensiune
  42. 1.6.2 Tiristorul conventional. Caracteristica curent-tensiune. Amorsarea tiristorului. Blocarea
  43. tiristorului. Aplicatii
  44. 1.6.2.Diacul, triacul. Caracteristici curent-tensiune. Amorsare. Blocare. Aplicatii
  45. 1.7 Dispozitive optoelectronice
  46. 1.7.1 Fotorezistenta.
  47. 1.7.2 Fotoelementul. Fototranzistorul.Fotodioda. Fototiristorul
  48. 1.7.2.Dioda electroluminescenta(LED).Optocuplorul.

Extras din curs

Introducere

Corpurile solide au o structura cristalina cu atomii si moleculele distribuite într-o retea regulata, în

care unitatea structurala (cub, tetraedru, etc.) se repeta periodic. Atomii situati în nodurile retelei cristaline

sunt legati între ei prin electronii de valenta. Din punct de vedere electric, corpurile solide se împart în trei

mari grupe:

-conductoare

-semiconductoare

-izolatoare

Aceasta clasificare are la baza valoarea conductivitatii electrice masurata la temperatura

camerei.La aceasta temperatura se obtin urmatoarele valori pentru conductivitate electrica:

(108 106)( )1 Ã = ÷ ©m  la materialele conductoare

(105 10 9)( )1 Ã = ÷  ©m  la materialele semiconductoare

(10 9)( )1 Ã =  ©m  la materiale izolatoare

Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a caror comportare se

bazeaza pe controlul miscarii purtatorilor de sarcina în corpul solid, în gaze sau în vid. Aproape toate

dispozitivele electronice folosesc conductia în corpul solid, de regula în semiconductoare. Prin controlul

mitcarii purtatorilor de sarcina se întelege fie controlul injectiei de purtatori de sarcini, fie controlul propriuzis,

care se poate exercita prin câmpul electric care apare datorita unei diferente de potential. Controlul

marimii curentului electric se poate realiza si prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numarului de

purtatori de sarcina dintr-o anumita zona a dispozitivului electronic , care este cazul particular al

dispozitivelor optoelectronice

Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaza dispozitive electronice pentru

realizarea unor functii cum ar fi:

-amplificarea, generarea unor oscilatii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea

tensiunii, modulare/demodulare

Functiile electronice pot fi asociate la doua categorii mari de aplicatii: -controlul si conversia

energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purtatoare de informatii

Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice,

ca urmare marimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice si

curenti electrici. La dispozitivele mai simple cu doua borne, caracterizarea se

face prin legatura care exista între tensiunea aplicata si curentul rezultat, de

exemplu ca pe figura alaturata:

Dependenta poate fi o caracteristica statica sau una dinamica daca apare

posibilitatea stocarii energiei electrice de catre dispozitivul electronic.

La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin

relatiile care exista între patru marimi electrice: doi curenti si doua tensiuni ,

deoarece al treilea curent se obtine în functie de ceilalti doi.

Caracteristicile statice ce descriu complet functionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt doua

functii de doua variabile, de exemplu

( )1 1 1 2 i = i u ,u ( , ) 2 2 1 2 i = i u u

Este interesant de remarcat ca în majoritatea cazurilor proprietatile de interes ale dispozitivelor

electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.

Germán Zoltán Dispozitive electronice1 – curs partea I

4

O prima proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele

electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica statica a diodei semiconductoare, de exemplu,

permite redresarea unui semnal alternativ.

O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit

parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistenta tranzistorului cu efect de câmp între sursa

si drena poate fi controlata de tensiunea aplicata între poarta si sursa.Aceasta rezistenta controlata poate fi

folosita în reglajul automat al amplificarii.

O a treia proprietate importanta pe care o prezinta unele dispozitive electronice este caracterul lor

activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la

sursele de alimentare în curent continuu în putere de semnal.

1.DISPOZITIVE ELECTRONICE

1.1 Jonctiunea pn

Dispozitivele semiconductoare au în constructia lor regiuni ale retelei monocristaline cu diverse

impurificari atât ca marime a concentratiei cât si ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip

acceptor).Jonctiunea pn reprezinta o structura fizica realizata într-un monocristal care are doua regiuni

vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste doua regiuni de conductibilitate electrica diferita apare o

variatie a distributiei impuritatilor. Linia de demarcatie dintre cele doua regiuni se numeste jonctiune

metalurgica. Jonctiunea pn are o importanta esentiala în functionarea unei clase mari de dispozitive

electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare contin una sau mai multe jonctiuni.

Cunoasterea fenomenelor din jonctiunea pn serveste si la întelegerea unor fenomene cum sunt cele legate

de suprafata semiconductorului, de contacte metalice, etc.

1.1.1 Jonctiunea pn la echilibru termic

Într-o jonctiune pn aflata la echilibru termic concentratiile de purtatori mobili de sarcina difera în

zona jonctiunii metalurgice fata de valorile din structura datorita fenomenelor de difuzie a purtatorilor mobili.

Astfel, golurile din regiunea p, aflate în concentratii mari, difuzeaza spre regiunea n unde concentratia lor

este foarte mica, aici ele se recombina datorita tendintei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.

In mod similar electronii in zona n difuzeaza spre zona p. Procesele de difuzie încep evident cu purtatorii

aflati în apropierea jonctiunii metalurgice. In zona p adiacenta jonctiunii metalurgice, prin plecarea golurilor

apare un exces de sarcina negativa datorita ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonctiunii

metalurgice capata o sarcina în exces pozitiva , prin acelasi procedeu. Caurmare se stabileste un câmp

electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest câmp electric transporta golurile dinspre

regiunea n spre regiunea p si electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci în sens opus fluxurilor de

difuzie

Preview document

Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 1
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 2
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 3
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 4
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 5
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 6
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 7
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 8
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 9
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 10
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 11
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 12
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 13
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 14
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 15
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 16
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 17
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 18
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 19
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 20
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 21
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 22
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 23
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 24
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 25
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 26
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 27
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 28
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 29
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 30
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 31
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 32
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 33
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 34
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 35
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 36
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 37
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 38
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 39
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 40
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 41
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 42
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 43
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 44
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 45
Dispozitive și Circuite Electronice 1 - Pagina 46

Conținut arhivă zip

  • Dispozitive si Circuite Electronice 1.pdf

Alții au mai descărcat și

Platformă experimentală pentru studiul tranzistorului IGBT

I. Introducere Această lucrare de licenţa prezintă ,in detaliu, studiul tranzistorului IRG4BC20UD. Ca obiect principal de cercetare am studiat...

Senzori și Traductoare Folosite în Industrie

ARGUMENT Scopul lucrării este de a face o prezentare a pricipiilor de funcţionare ale celor mai uzuali senzori din compunerea traductoarelor...

Analiza și modelarea tranzistoarelor bipolare și circuitelor în baza lor

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT337. Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip n-p-n sau p-n-p, la care...

Unitatea de Disc Optic

Unitatea de disc optic (UDO) este o unitate de disc care utilizează laserul sau alte unde electromagnetice din apropierea spectrului luminos pentru...

Proiectarea etajelor de amplificare de tensiune și putere în baza tranzistorului bipolar

INTRODUCERE În dezvoltarea sa electronica, a cunoscut o furtunoasa evolutie datorită a patru tipuri de elemente, numele acestor elemente se...

Proiectarea unui Oscilator

1.Tema proiectului Sa se priecteze un oscilator (generator de semnal) sinusoidal cu punte Wien si limitare de amplitudine cu diode.Oscilatorul...

Sisteme Electronice Programabile

Tema proiectului : Proiectaţi un filtru IIR digital, cu ecuaţia : y[n] = -0.3y[n-1] +0.4y[n-2] +0.5x[n] +0.5x[n-1] implementat pe sistemul de...

Aplicații ale Diodelor Semiconductoare

Generalităti a. Diodele redresoare Diodele redresoare sunt dispozitive electronice semiconductoare din siliciu , utilizate în circuitele de...

Te-ar putea interesa și

Proiect la Dispozitive și Circuite Electronice

OSCILATORUL este un circuit care transforma puterea de curent continuu de la o sursa de alimentare in putere de semnal pe o anumita sarcina....

Dispozitive și Circuite Electronice

1.Tema proiectului Sa se proiecteze un generator de pulsuri dreptunghiulare cu urmatoarele caracteristici: - Frecventa de oscilatie , f0 ,...

Proiect Dispozitive și Circuite Electronice

A. Tema proiectului: Sa se proiecteze un oscilator generator de pulsuri dreptunghiulare cu urmatoarele caracteristici: - Frecventa de oscilatie...

Dispozitive și Circuite Electronice - Stabilizator de Tensiune

1. Tema proiectului Se proiectează un stabilizator de tensiune cu următoarele caracteristici: - Tensiune de ieşire reglabilă în intervalul: -...

Dispozitive și Circuite Electronice

Pentru circuitul din figură să se determine curenţii prin laturi, tensiunile în noduri şi între bornele tranzistorului- Se va calcula teoretic PSF-...

Dispozitive și Circuite Electronice I

P1. Un eşantion din siliciu este dopat uniform cu atomi de fosfor cu o concentraţie de 1012 / cm3. Se dau concentraţia intrinsecă ni=2•1010 /...

Dispozitive și Circuite Electronice - Generatorul de Semnal Trapezoidal

GENERATORUL DE SEMNAL TRAPEZOIDAL Proiectarea generatouluir de semnal trapezoidal se va face tinand cont de urmatoarele date: -semnalul de...

Ai nevoie de altceva?