Cuprins
- 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE
- 1.1 Jonctiunea p-n
- 1.1.1 Jonctiunea p-n la echilibru termic
- 1.1.2 Caracteristica statica a jonctiunii p-n. Ecuatia diodei ideale
- 1.1.3 Strapungerea jonctiunii p-n
- 1.1.4 Circuitul echivalent al jonctiunii p-n
- 1.2.Diode semiconductoare
- 1.2.1 Diode redresoare. Caracteristica statica. Functionare
- 1.2.2 Diode varicap.
- 1.2.3 Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica statica. Functionare. Stabilizator parametric.
- 1.3 Tranzistorul bipolar
- 1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
- 1.3.2 Principiul de functionare (efectul de tranzistor)
- 1.3.3 Componentele curentilor prin tranzistor
- 1.3.4 Descrierea functionarii în regiunea activa normala (conexiunile BC, EC)
- 1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
- 1.3.6.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
- 1.3.6.1. Caracteristicile statice în conexiunea baza comuna (BC)
- 1.3.6.2. Caracteristicile statice în conexiune emitor comun (EC)
- 1.3.7 Polarizarea tranzistorului într-un punct dat de functionare, în regiunea activa
- 1.3.8.Limitari în functionare datorata variatiei temperaturii si disipatiei de putere
- 1.3.8.1 Variatia caracteristicilor electrice cu temperatura
- 1.3.8.2 Stabilizarea PSF în raport cu variatiile de temperatura
- 1.3.9.Tranzistorul bipolar în regim dinamic
- 1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
- 1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
- 1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun
- 1.3.10 Caracteristica dinamica si limitarea amplitudinii semnalului
- 1.4 Tranzistorul cu efect de câmp cu jonctiune (TEC-J)
- 1.4.1 Introducere. Simboluri.Notatii.Functionare
- 1.4.2 Caracteristici statice de iesire si de transfer (canale n si p). Regim liniar. Regim de saturatie
- 1.4.3 Polarizarea TEC-J.Scheme de polarizare. Dreapta de sarcina. Punct static de functionare
- 1.4.4 Modelul de semnal mic pentru TEC-J. Frecvente joase si înalte.
- 1.5 Tranzistorul cu efect de câmp tip "MOS" (TEC-MOS)
- 1.5.1.Introducere. Simboluri.Notatii.Functionare. Tipuri de caracteristici.
- 1.5.2.Caracteristici statice de iesire si de transfer (canale n si p). Regim liniar. Regim de saturatie
- 1.5.3.Polarizarea TEC-MOS (canal initial si indus). Scheme de polarizare pentru canal indus si
- canal initial. Dreapta de sarcina. Punct static de functionare.
- 1.5.4.Model de semnal mic pentru TEC-MOS. Frecvente joase si înalte.
- 1.6 Dispozitive electronice uni- si multijonctiune
- 1.6.1.Dioda pnpn. Caracteristica curent-tensiune
- 1.6.2 Tiristorul conventional. Caracteristica curent-tensiune. Amorsarea tiristorului. Blocarea
- tiristorului. Aplicatii
- 1.6.2.Diacul, triacul. Caracteristici curent-tensiune. Amorsare. Blocare. Aplicatii
- 1.7 Dispozitive optoelectronice
- 1.7.1 Fotorezistenta.
- 1.7.2 Fotoelementul. Fototranzistorul.Fotodioda. Fototiristorul
- 1.7.2.Dioda electroluminescenta(LED).Optocuplorul.
Extras din curs
Introducere
Corpurile solide au o structura cristalina cu atomii si moleculele distribuite într-o retea regulata, în
care unitatea structurala (cub, tetraedru, etc.) se repeta periodic. Atomii situati în nodurile retelei cristaline
sunt legati între ei prin electronii de valenta. Din punct de vedere electric, corpurile solide se împart în trei
mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Aceasta clasificare are la baza valoarea conductivitatii electrice masurata la temperatura
camerei.La aceasta temperatura se obtin urmatoarele valori pentru conductivitate electrica:
(108 106)( )1 Ã = ÷ ©m la materialele conductoare
(105 10 9)( )1 Ã = ÷ ©m la materialele semiconductoare
(10 9)( )1 Ã = ©m la materiale izolatoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a caror comportare se
bazeaza pe controlul miscarii purtatorilor de sarcina în corpul solid, în gaze sau în vid. Aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conductia în corpul solid, de regula în semiconductoare. Prin controlul
mitcarii purtatorilor de sarcina se întelege fie controlul injectiei de purtatori de sarcini, fie controlul propriuzis,
care se poate exercita prin câmpul electric care apare datorita unei diferente de potential. Controlul
marimii curentului electric se poate realiza si prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numarului de
purtatori de sarcina dintr-o anumita zona a dispozitivului electronic , care este cazul particular al
dispozitivelor optoelectronice
Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaza dispozitive electronice pentru
realizarea unor functii cum ar fi:
-amplificarea, generarea unor oscilatii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea
tensiunii, modulare/demodulare
Functiile electronice pot fi asociate la doua categorii mari de aplicatii: -controlul si conversia
energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purtatoare de informatii
Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice,
ca urmare marimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice si
curenti electrici. La dispozitivele mai simple cu doua borne, caracterizarea se
face prin legatura care exista între tensiunea aplicata si curentul rezultat, de
exemplu ca pe figura alaturata:
Dependenta poate fi o caracteristica statica sau una dinamica daca apare
posibilitatea stocarii energiei electrice de catre dispozitivul electronic.
La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin
relatiile care exista între patru marimi electrice: doi curenti si doua tensiuni ,
deoarece al treilea curent se obtine în functie de ceilalti doi.
Caracteristicile statice ce descriu complet functionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt doua
functii de doua variabile, de exemplu
( )1 1 1 2 i = i u ,u ( , ) 2 2 1 2 i = i u u
Este interesant de remarcat ca în majoritatea cazurilor proprietatile de interes ale dispozitivelor
electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.
Germán Zoltán Dispozitive electronice1 – curs partea I
4
O prima proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele
electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica statica a diodei semiconductoare, de exemplu,
permite redresarea unui semnal alternativ.
O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit
parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistenta tranzistorului cu efect de câmp între sursa
si drena poate fi controlata de tensiunea aplicata între poarta si sursa.Aceasta rezistenta controlata poate fi
folosita în reglajul automat al amplificarii.
O a treia proprietate importanta pe care o prezinta unele dispozitive electronice este caracterul lor
activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la
sursele de alimentare în curent continuu în putere de semnal.
1.DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.1 Jonctiunea pn
Dispozitivele semiconductoare au în constructia lor regiuni ale retelei monocristaline cu diverse
impurificari atât ca marime a concentratiei cât si ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip
acceptor).Jonctiunea pn reprezinta o structura fizica realizata într-un monocristal care are doua regiuni
vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste doua regiuni de conductibilitate electrica diferita apare o
variatie a distributiei impuritatilor. Linia de demarcatie dintre cele doua regiuni se numeste jonctiune
metalurgica. Jonctiunea pn are o importanta esentiala în functionarea unei clase mari de dispozitive
electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare contin una sau mai multe jonctiuni.
Cunoasterea fenomenelor din jonctiunea pn serveste si la întelegerea unor fenomene cum sunt cele legate
de suprafata semiconductorului, de contacte metalice, etc.
1.1.1 Jonctiunea pn la echilibru termic
Într-o jonctiune pn aflata la echilibru termic concentratiile de purtatori mobili de sarcina difera în
zona jonctiunii metalurgice fata de valorile din structura datorita fenomenelor de difuzie a purtatorilor mobili.
Astfel, golurile din regiunea p, aflate în concentratii mari, difuzeaza spre regiunea n unde concentratia lor
este foarte mica, aici ele se recombina datorita tendintei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.
In mod similar electronii in zona n difuzeaza spre zona p. Procesele de difuzie încep evident cu purtatorii
aflati în apropierea jonctiunii metalurgice. In zona p adiacenta jonctiunii metalurgice, prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcina negativa datorita ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonctiunii
metalurgice capata o sarcina în exces pozitiva , prin acelasi procedeu. Caurmare se stabileste un câmp
electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest câmp electric transporta golurile dinspre
regiunea n spre regiunea p si electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci în sens opus fluxurilor de
difuzie
Preview document
Conținut arhivă zip
- Dispozitive si Circuite Electronice 1.pdf