Dispozitive și Circuite Electronice - Partea 2

Tranzistoare MOS cu canal initial

Sunt dispozitive electronice la care conductia curentului are loc la suprafata semiconductorului respectiv.

Acest dispozitiv este prevazut cu doua puturi unite între ele printr-un canal conductiv de tip n. Nu mai avem jonctiuni ca la TJS. Cel de-al doilea electrod, poarta tranzistorului este izolata fata de canal printr-un strat de oxid, ca urmare rezistenta de intrare este foarte mare, motiv pentru care este posibil sa se acumuleze sarcina electrostatica care depasind o valoare poate duce la strapungere.

Producatorii favorizeaza dispozitivele cu terminalele conectate printr-o foita metalica care este scoasa numai dupa plantarea dispozitivului pe circuitul imprimat. Unii producatori prefera dispozitivele cu o dioda Zenner între poarta si masa, care intra în conductie dupa ce tensiunea acumulata depaseste valoarea tensiunii Zenner a diodei respective. În practica se utilizeaza scule conectate la masa. Daca e poarta tranzistorului se aplica un potential mai pozitiv în raport cu sursa acesteia în canalul conductiv apare o cantitate suplimentara de e- si ca urmare curentul prin dispozitiv creste. În acest caz tranzistorul lucreaza în regim de îmbogatire. Daca potentialul aplicat pe poarta tranzistorului este mai negativ în raport cu cel la care se gaseste sursa are loc o saracire în purtatori de sarcina prezenti în canalul conductiv al dispozitivului si ca urmare curentul prin dispozitiv scade ceea ce înseamna ca tranzistorul lucreaza în regim de saracire.

Caracteristica de iesire a tranzistorului. Dependenta dintre curentul de drena si tensiunea drena-sursa având ca parametru tensiunea poarta-sursa.

Tranzistorul MOS cu canal initial indus.

Structura este asemanatoare cu cea al TEC-MOS cu canal initial indus cu deosebirea ca nu mai avem canalul fizic între cele doua puturi. De îndata ce tensiunea aplicata între poarta si sursa depaseste valoarea de taiere, în zona imediat vecina portii tranzistorului apare un canal indus conductiv, poarta si substratul tranzistorului comportându-se asemenea unui capacitor. Canalul respectiv se îmbogateste si poate conduce numai daca potentialul aplicat e poarta este suficient de mare. Simbolul:

....

Caracteristica de iesire:

....

Ca si la tranzistorul cu canal initial distingem la caracteristica de iesire o zona liniara corespunzatoare pentru valori mici ale tensiunii drena-sursa unde curentul ce se stabileste prin dispozitiv este proportional cu tensiunea aplicata, pentru valori mai mari ale lui VDS se intra în zona de saturatie, curentul prin dispozitiv putându-se exprima printr-o relatie de tipul: iD=gVDS;

Conductanta tranzistorului, g poate fi exprimata printr-o relatie de tipul: g=²(VGS-VP).

² - panta [²]=[Siemens/Volt] à iD=²(VGS-VP)VDS.