Extras din curs
CONCEPTE DE BAZ~
ALE
FIZICII SEMICONDUCTOARELOR
1.1 INTRODUCERE
Trecerea curentului electric prin materiale este condiionat` de existena purt`torilor de sarcin`, electroni sau ioni, care sunt capabili s` se deplaseze în cazul aplicarii unui câmp electric exterior. {n funcie de num`rul natural al purt`torilor de sarcin`, materialele solide se împart în trei categorii:
- materiale conductoare (metalele) având în jur de 1023 purt`tori de sarcin`, electroni, intr-un cm3;
- materiale izolante (dielectrici) cu 103 purt`tori într-un cm3;
- materiale semiconductoare cu 108 …1019 purt`tori de sarcin` într-un cm3.
Evident num`rul de purt`tori de sarcin` determin` conductibilitatea electric` a materialelor. Se observ` c` semiconductoarele au propriet`i de conductivitate electric` intermediare între conductoare ]i dielectrici. Mai mult la aceste materiale densitatea de purt`tori de sarcin` poate fi modificat` substanial fie prin introducerea unor materiale diferite, numite impurit`i, fie prin câmpuri electrice adecvate. Aceast` ultim` proprietate a generat utilizarea semiconductoarelor în aplicaiile din electronica de semnal ]i putere.
Semiconductoarele frecvent utilizate sunt elementele tetravalente germaniu ]i siliciu, ultimul fiind în prezent cel mai r`spândit.
1.2 SEMICONDUCTOARE INTRINSECI
{ntr-un cristal de siliciu atomii vecini î]i pun în comun câte doi electroni de valen` formând leg`turile covalente, dup` modelul din fig.1.1.
Fig.1.1. Leg`turile covalente între Fig.1.2. Producerea electronilor
atomii de siliciu. ]i golurilor.
Datorit` energiei termice primite din mediul înconjur`tor, unii dintre electroni cap`t` energie superioar` celei corespunz`toare leg`turii covalente producând ruperea leg`turii ]i migrarea în material. Prin acest proces, numit ionizare termic`, apar dou` tipuri de sarcin` electric`, una mobil` electronul, iar alta imobilizat` în reeaua cristalin`, ionul pozitiv de siliciu, numit gol.
A]adar ionizarea termic` genereaz` un num`r egal de electroni ]i goluri. {ntr-un semiconductor pur, electronii ]i golurile se numesc purt`tori de sarcin` intrinseci, iar densitatea lor este dat` de
(1.1)
unde:
- C – constant` de proporionalitate;
- q – sarcina elementar`;
- E – nivelul energetic (1,1 e V pentru siliciu);
- k – constanta lui Boltzman;
- T – temperatura în Kelvin.
La temperatura camerei ni = 1010 electroni/cm3 pentru siliciu.
Electronii mobili prin semiconductor pot fi captai de ali ioni din reea ref`cându-se leg`tura covalent` în alt` zon` a materialului. Acest proces se nume]te recombinare. La o temperatur` dat` T procesele de ionizare termic` ]i recombinare se anihileaz` reciproc, astfel c` num`rul de purt`tori intrinseci ni este constant.
Recombinarea produce ]i o mi]care aparent` a golurilor, prezentat` în fig.1.3.
Preview document
Conținut arhivă zip
- Electronica Putere
- cap01.doc
- cap02.doc
- cap03.doc
- cap04.doc
- cap05.doc
- cap06.doc
- cap07.doc
- cap08.doc
- cap09.doc
- cap10.doc