Extras din curs
Semiconductoare: materiale solide sau lichide cu o conductivitate electrică intermediară între materialele conductoare şi cele izolatoare
conductoare (metale): rezistivitatea variază între 10-6 si 10-4 ohm∙cm
rezistivitatea izolatorilor (diamant, cuarţ) este intre 1010 si 1020 ohm∙cm
Materialele semiconductoare (siliciul şi germaniul): rezistivităţi intermediare (sute sau mii ohm∙cm); se găsesc pe coloana a IV-a a tabelei Mendeleev, având patru electroni de valenţă.
Modificarea comportării materialelor semiconductoare se face prin adăugare de impurităţi, prin procesul de dopare
Tipuri de materialele semiconductoare:
tip n, unde electronii sunt in exces; obţinute prin adăugarea de impurităţi precum fosforul, arseniul, elemente care se găsesc pe coloana a V-a
tip p, unde purtătorii de sarcină în exces sunt cei pozitivi (goluri); obţinute prin adăugarea de impurităţi precum borul sau aluminiul, aflate pe coloana a III-a şi având trei electroni de valenţă
Echilibru termic: nu se va produce nici un curent electric prin semiconductor
Deplasare ordonata a purtătorilor de sarcină: aplicarea unui câmp electric exterior, neuniformizarea distribuţiei de purtători de sarcină (proces de difuzie)
In regiunea de tip p concentraţia de goluri depăşeşte concentraţia de electroni, în regiunea de tip n concentraţia de electroni depăşeşte concentraţia de goluri; în apropierea planului joncţiunii golurile tind să difuzeze din regiunea de tip p în regiunea de tip n, în timp ce electronii tind să difuzeze în sens invers; în imediata vecinătate a joncţiunii din regiunea de tip p are loc o încărcare cu sarcină negativă, iar în imediata vecinătate a joncţiunii din regiunea de tip n se acumulează sarcină pozitivă; existenţa acestor sarcini determină un câmp electric de difuzie (Ed) asociat unei diferenţe de potenţial, numit potenţial de difuzie sau barieră de potenţial lângă planul joncţiunii care se opune tendinţei de difuzie
Difuzia de purtători este un proces cu autolimitare
Conținut arhivă zip
- Regimul de Comutatie al Elementelor Semiconductoare.ppt