Extras din curs
1. Introducere Semiconductor eterogen dotat cu impuritati astfel încât se formeaza doua jonctiuni pn. - regiunea din mijloc – foarte îngusta ’pLd<<, ordin de marime: ¼1,0. - regiuni laterale – emitor, colector - mult mai dotate - de acelasi tip - au proprietati electrice si fizice diferite (prin dotari diferite si prin dimensiuni diferite). Procedee de fabricare: - aliere - difuzie – profilul si adâncimea zonei difuzate pot fi controlate prin concentratia de impuritati, prin temperatura de difuzie si prin durata procesului de difuzie. Regimurile de lucru se stabilesc dupa modul de polarizare a celor 2 jonctiuni: jonctiunea EB jonctiunea CB - regiunea activa normala (RAN) direct invers - regiunea de saturatie (SAT) direct direct - regiunea de blocare (BL) invers invers - regiunea activa inversa (RAI) invers direct Simboluri pentru tranzistorul bipolar 1
2. Procese fizice Tranzistorul este de tip P+NP+, functionând în RAN. Fenomene fizice: a) jonctiunea EB este polarizata direct: golurile din emitor trec în baza, dar , putine goluri se recombina, cele mai multe ajung la colector; acesta este polarizat invers, este un câmp electric puternic care favorizeaza trecerea golurilor în colector. pLd<< - goluri injectate de emitor ’ colectate de colector )0()(PrPiiwi=+ - w este grosimea efectiva a bazei, dw< Se defineste: factorul de transport în baza: 1)0(1)0()(’==PrPPtiiiwi² b) jonctiunea EB este polarizata direct: circula un curent de electroni local datorat difuziei electronilor din baza în emitor. Deoarece baza este mult mai putin dopata cu impuritati decât emitorul, curentul de electroni va fi mult mai mic decât curentul de goluri: nPEiii+=)0(Se defineste: eficienta emitorului:
Preview document
Conținut arhivă zip
- Tranzistorul Bipolar in Regim Dinamic
- tranzistorul_1_new.pdf
- tranzistorul_2_new.pdf