Dispozitive si Circuite Electronice

Imagine preview
(8/10 din 2 voturi)

Acest laborator prezinta Dispozitive si Circuite Electronice.
Mai jos poate fi vizualizat cuprinsul si un extras din document (aprox. 2 pagini).

Arhiva contine 6 fisiere doc de 33 de pagini (in total).

Iti recomandam sa te uiti bine pe extras, cuprins si pe imaginile oferite iar daca este ceea ce-ti trebuie pentru documentarea ta, il poti descarca.

Fratele cel mare te iubeste, acest download este gratuit. Yupyy!

Domeniu: Electronica

Cuprins

Contine laboratoarele:
12 - Amplificator de putere în contratimp
13 - Stabilizatorul de tensiune continua
14 - Masurarea parametrilor amplificatoarelor operationale
15 - Circuite elementare cu amplificatoare operationale
16 - Filtre active cu amplificatoare operationale
17 - Oscilatoare RC

Extras din document

Amplificator de putere în contratimp

Scopul lucrarii

Lucrarea are ca scop studiul experimental al unor aspecte ale functionarii unui amplificator de putere în contratimp de clasa B sau AB.

Elemente teoretice

Etajele de putere pentru semnalele de frecventa audio se pot realiza cu tranzistoare functionând în clasa A (când elementul activ ce debiteaza putere în sarcina este permanent în conductie) sau în clasa B, în contratimp (elementul activ ce debiteaza putere în sarcina este în conductie o semiperioada a semnalului).

În schema de principiu din fig.12.1, în care este reprezentat un amplificator de putere de clasa B în contratimp cu tranzistoarele complementare, curentul prin sarcina este asigurat de tranzistorul T1 pe semialternanta pozitiva si de tranzistorul T2 pe semialternanta negativa. Reducerea distorsiunilor de neliniaritate se face prin utilizarea unei reactii negative de tensiune sau/si prin trecerea la o functionare în clasa AB, care consta în prepolarizarea celor doua tranzistoare în asa fel încât ele sa se afle, în absenta semnalului, la limita de conductie ( si nu blocate, ca în cazul functionarii în clasa B ); amplificatorul de putere în clasa AB pastreaza performantele energetice (randamentul ramâne bun) dar se obtine o caracteristica de transfer mai liniara si semnalul de iesire va fi mai putin distorsionat.

În ceea ce priveste reactia negativa, distorsiunile de neliniaritate sunt considerate ca perturbatii interne amplificatorului si vor fi micsorate de (1+brA) ori ; cu cât factorul de reactie (1+brA) este mai mare, cu atât distorsiunile de neliniaritate vor fi mai mici, la acelasi nivel cu semnalul de sarcina.

Distorsiunile de neliniaritate cresc odata cu cresterea frecventei semnalului, deoarece, în acest caz, scade amplificarea fara reactie, A si deci factorul de reactie (1+brA).

4. Functionarea în clasa AB se poate realiza, de exemplu, sub forma din fig. 12.3, pentru un circuit cu o singura sursa de polarizare, în care sarcina se cupleaza prin capacitate. Prin rezistenta R circula curentul de colector al tranzistorului T3 , care asigura o cadere de tensiune de circa 1.2 -1.3 V la bornele ei, suficienta pentru mentinerea în conductie a tranzistoarelor T1 si T2 , în absenta semnalului ( tensiunea continua din emitoarele celor doua tranzistoare de putere se stabileste printr-o reactie negativa de curent continuu ). Rezistenta R1 asigura închiderea curentului de colector al tranzistorului T3 si contribuie la formarea sarcinii de colector a tranzistorului T3. Semnalul variabil se aplica pe baza tranzistorului T3.

5. La etajul final trebuie sa se realizeze o plasare corecta a punctului static de functionare în scopul utilizarii cât mai bune a tensiunii sursei de alimentare. Se defineste coeficientul de utilizare a tensiunii de alimentare sub forma :

(12.1)

unde V0 - amplitudinea semnalului de sarcina, presupus sinusoidal;

Vovv - valoarea vârf la vârf a tensiunii de iesire;

Ec =2Ec - tensiunea de alimentare aplicata efectiv etajului final de putere.

Punctul static de functionare trebuie astfel ales încât , cu semnal de iesire nedistorsionat, sa aiba o valoare cât mai apropiata de 1. Pentru circuitul din fig. 12.3, tensiunea pe emitoarele tranzistoarelor finale nu poate ajunge la 0 ( ramâne tensiunea de saturatie a tranzistorului T2 ) si nici la Ec ( ramâne ca diferenta tensiunea VBE1 si tensiunea de saturatie a tranzistorului T3 ). Asa cum se vede si în fig. 12.5, se obtine : DVinf ¹DVsup.

6. Din punct de vedere energetic, se pot deduce urmatoarele relatii:

- Puterea utila în sarcina :

(12.2)

(cu valoarea maxima pentru k à kmax) ;

- Puterea absorbita de la sursa de alimentare de etajul final :

(12.3)

- Randamentul : (12.4)

- Puterea disipata de tranzistoarele de putere :

(12.5)

Fisiere in arhiva (6):

  • 12 - Amplificator de putere in contratimp.doc
  • 13 - Stabilizatorul de tensiune continua.doc
  • 14 - Masurarea parametrilor amplificatoarelor operationale.doc
  • 15 - Circuite elementare cu amplificatoare operationale.doc
  • 16 - Filtre active cu amplificatoare operationale.doc
  • 17 - Oscilatoare RC.doc