Extras din laborator
Lucrarea are ca scop ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare precum şi studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.
Caracteristica statică este dată de legea:
Graficul legii
este curentul de saturaţie al diodei dat de expresia şi este dependent de parametrii fizici şi tehnologici ai joncţiunii PN:
• suprafaţa joncţiunii, ;
• concentraţia intrinsecă de purtători
• coeficienţii de difuzie , ,
• lungimile de difuzie , , ale purtătorilor de sarcină
• concentraţiile de impurităţi, , )
• este un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, şi mai apropiate de 2 pentru Si, care rezultă din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcină spaţială la tensiuni de polarizare directe mici
Graficul teoretic la ecuaţiei diodei semiconductoare la scară semilogaritmică
Punctul static de funcţionare are coordonatele , iar în acest punct de funcţionare dioda este caracterizată din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplizate in serie cu tensiunea continuă ) printr-o rezistenţă dinamică, pentru care se deduce relaţia : . Rezistenta dinamică se determină experimental prin calculul pantei caractristicii statice, în punctul static de funcţionare conform relaţiei : .
REZULTATELE EXPERIMENTULUI
1. Pentru montajul din figura de mai jos se foloseşte o schemă electrică ajutătoare ca sursă de curent reglabil cu ajutorul potenţiometrului . Alimentat în curent continuu între bornele 3 (+5 V) şi 2 (masă), circuitul furnizează la borna 7 un curent reglabil între 050 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele închizându-se spre borna comună de masă (borna 2).
- D1N4001
I = 0,5100 mA (borna 4 este anodul)
- BA 220
I = 0,150 mA (borna 5 este anodul)
- BZX 84-C7V5
I = 0,120 mA (anodul este borna 6).
Preview document
Conținut arhivă zip
- lab 1.doc
- lab 2 .doc
- lab 3.doc
- lab 4.doc
- lab 5.doc
Alții au mai descărcat și
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC J 1. INTRODUCERE Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) se bazeaza pe controlul efectuat de un câmp electric...
Tema: Sunetul in caculator. Scopul: Cercetarea şi determinarea parametrilor sunetului, creearea spectrogramei, cercetarea conversiei sunetului şi...
1.INSTRUMENTE ELECTRICE DE MĂSURAT ANALOGICE Instrumentele de măsurat analogice convertesc mărimea electrică x într-o deplasare liniară sau mai...
1. ELEMENTE INTRODUCTIVE REFERITOARE LA CONDUCEREA PROCESELOR INDUSTRIALE DIN PERSPECTIVA SISTEME INTELIGENTE HARDWARE-SOFTWARE DE MĂSURARE ŞI...
2. Tema: Studierea tranzistorului bipolar in conexiune cu baza comuna si emitor comun 3. Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor de intrare...
Mod de experimentare. Metodele directe de masurare utilizeaza aparate special construite în vederea masurarii, prin citire directa, a valorii...
Scopul lucrării Aparatele de măsurat analogice sunt de diferite tipuri şi întălnescdatorită multor funcţii ce le pot îndeplini în diverse scheme...
Te-ar putea interesa și
CAPITOLUL I PERTURBAŢII ELECTROMAGNETICE (PEM) LA BORDUL NAVEI. CLASIFICARE. CARACTERIZARE 1.1. CLASIFICAREA PERTURBAŢIILOR ELECTROMAGNETICE PE O...
Argument Ştiinţa este un ansamblu de cunoştinţe abstracte şi generale, fixate într-un sistem coerent obţinut cu ajutorul unor metode adecvate şi...
Tema de proiectare: Circuit electronic astabil cu tranzistoare Sa se proiecteze un circuit electronic astabil cu tranzistoare bipolare. Prin tema...
CAPITOLUL 1. 1.1 Importanta aparatelor de masura electronice Aparatele numerice de măsurare sunt integral electronice și oferă rezultatul...
1. Introducere 1.1 Tema proiectului Să se proiecteze un sistem analogic care să realizeze produsul valorilor efective a două mărimi pur...
1. Introducere Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite în general din materiale semiconductoare din Siliciu, întrebuințate în...
Notiuni de electronica corpului solid Purtatori de sarcina în semiconductoare - dupa conductibilitatea electrica corpurile solide sunt: -...
1. Scopurile lucrarii -efectuarea masuratorilor necesare determinarii parametrilor principali ai circuitului echivalent al tranzistorului bipolar...