Studierea Parametrilor și Caracteristicilor Etajului de Amplificare în Tensiune, Echipat cu Tranzistor Bipolar în Conectare Emitor Comun

1. Scopul lucrării: studierea parametrilor şi a caracteristicilor a etajului tipic de amplificare în tensiune în conectarea EC şi regimul de funcţionare a tranzistorului pentru diferite valori de sarcină.

2. Datele iniţiale:

Rs1

kΩ Rs2

kΩ Rc

kΩ Eal

V R1

kΩ R2

Ω C2

μF Cs

μF Ce

μF C1

μF Re

Intervalul de creştere a impulsului este aproxivativ egală cu t=10.1325 ns pentru RS2.

7. Concluzii:

În urma efectuşrii lucrării de laborator Nr 1 am studiat parametrii şi caracteristica a etajului tipic de amplificare în tensiune, echipat cu tranzistor bipolar în conectarea emitorului comun.

Am constatat totodată ca factorul de amplificare KEC diferă şi anume prin aceea că odată mărirea amplitudinii semnalului (am folosit pasul 50 mV) tensiunile de intrare şi ieşire cresc, iar Eg descreşte cu valoarea nu prea însemnată pentru ambele rezistenţe RS, dar odată cu micşorarea rezistenţei RS se micşorează şi Eg.

Am depistat dependenţa frecvenţei limita superioară în funcţie de capacitatea parazită CS adică odată cu creşterea CS diapazonul de frcvenţe devine mai mic rezultînd totodată o descriere a valorii frecvenţei, limita superioară fli m.sup (CS=2nF fli m.sup =125.8925 kHz şi respectiv CS=10 nF fli m.sup=35.716 kHz);

Impendanţa internă variază neesenţial în descriere la schimbarea RS=RS1 respectiv RS=RS2 şi la schimbarea amplitudinii semnalului de la valoarea 50 la 350 mV.