Tranzistorul Bipolar în Regim Variabil

LUCRAREA NR.6

TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM VARIABIL

1.Scopul lucrarii : se studiaza functionarea tranzistorului bipolar într-un circuit de amplificator elementar (montaj cu emitorul la masa) la semnale mici si se determina dependenta principalilor parametrii ai amplificatorului (amplificari de tensiune si de curent, impedante de intrare si de iesire) de impedanta de sarcina si de frecventa.

2.Amplificarea de tensiune a amplificatoarului cu un tranzistor în montaj emitor la masa (EM), a carui schema de principiu este data în fig.6.1, definita prin raportul va fi (6.1). Se constata ca, pentru , amplificarea de tensiune tinde la valoarea , cea mai mare valoare care se poate obtine, teoretic, cu un montaj elementar cu un tranzistor. Pentru valori mici ale impedantei de sarcina, , se poate neglija termenul fata de si amplificarea de tensiune ramâne proportionala cu impedanta de sarcina. Deoarece (6.2), fiind panta tranzistorului, dependenta de punctul static de functionare, pentru valori mici ale impedantei de sarcina, se poate scrie : (6.3) relatie care permite determinarea pantei tranzistorului.

Pentru schema electrica din fig.6.8, pe care se vor efectua masuratorile, impedanta de sarcina a tranzistorului va fi formata din rezistenta de sarcina a tranzistorului, , în paralel cu rezistenta, , necesara pentru polarizarea tranzistorului, astfel ca se va considera: .

Determinarea amplificarii de tensiune se face prin masurarea tensiunilor si din fig.6.1, aplicându-se relatia: (6.4).

3.Impedanta de intrare a amplificatorului din fig.6.1 este putin dependenta de impedanta de sarcina, deoarece, in relatia (6.5) termenii si pot fi neglijati pentru valori uzuale ale impedantei de sarcina : (6.5).

Pentru valori mici (relativ mici) ale lui , se obtine : (6.5’) relatie care permite masurarea parametrului .

Pentru schema electrica din fig.6.8, impedanta de intrare masurata este influentata de circuitul de polarizare; în cazul utilizarii generatorului de curent de baza, având în vedere si valorile nu prea mari ale impedantei de intrare a tranzistorului, se poate aprecia ca: .

Conform definitiei, impedanta de intrare în amplificator este (6.6).

Curentul se masoara indirect, asa cum rezulta din fig.6.2 prin masurarea caderii de tensiune la bornele unei rezistente aditionale , astfel încât relatia de calcul devine (6.7)

4.Amplificarea de curent a amplificatorului din fig.6.1 se calculeaza cu relatia: (6.8) si depinde de numai pentru valori mari ale acesteia.

Pentru valori mici ale impedantei de sarcina, se obtine : (6.9) relatie care permite determinarea parametrului al tranzistorului considerat în conexiunea emitor comun.

Amplificarea de curent se determina tot cu schema din fig.6.2, cu relatia: (6.10)

5.Impedanta de iesire este dependenta de impedanta generatorului de semnal, conform relatiei (6.11) si poate fi cuprinsa între limitele (pentru ) si (pentru ).