Metode si Tehnici de Overclocking

Imagine preview
(9/10 din 6 voturi)

Acest proiect trateaza Metode si Tehnici de Overclocking.
Mai jos poate fi vizualizat un extras din document (aprox. 2 pagini).

Arhiva contine 1 fisier doc de 20 pagini .

Profesor indrumator / Prezentat Profesorului: Alexandru Andreescu

Iti recomandam sa te uiti bine pe extras si pe imaginile oferite iar daca este ceea ce-ti trebuie pentru documentarea ta, il poti descarca.

Fratele cel mare te iubeste, acest download este gratuit. Yupyy!

Domenii: Calculatoare, Automatica

Extras din document

Standardul DDR SDRAM a adus îmbunatatiri minore de ordin tehnologic fata de vechiul SDRAM, însa a dublat performanta. Datele sunt transmise atât pe frontul crescator, cât si pe cel descrescator al semnalului, rezultând o latime de banda de doua ori mai mare la aceeasi frecventa.

Din punct de vedere constructiv modulele DDR prezinta 184 de pini (fata de 168 pentru SDRAM-ul clasic si de 240 pentru DDR2).

Latimea de banda oferita de DDR este egala cu frecventa sa înmultita cu 2, si apoi cu 8, unitatea de masura fiind GB/s (gigabyte pe secunda). Astfel, o memorie DDR400 va transmite (aproximativ) 3,2 GB/s catre controller-ul de memorie, elementul central de gestiune a acesteia. Memoriile DDR dubleaza latimea de banda, iar la fiecare ciclu de tact sunt transmisi câte 8 bytes (64 de biti), aceasta fiind latimea consacrata a bus-ului. În cazul controller-elor de memorie dual-channel, numarul lor creste la 16 bytes (128 de biti) per ciclu, însa sunt necesare (cel putin) doua module de memorie, de preferinta identice.

Standardele DDR aprobate de JEDEC - autoritatea în domeniu care ratifica diversele standarde de memorie, sunt PC1600, PC2100, PC2700 si PC3200, frecventele corespunzatoare fiind de 100, 133, 166 si respectiv 200 MHz, deseori fiind referite ca DDR200, DDR266, DDR333 si DDR400 din cauza raportarii la SDRAM: o memorie DDR266 (PC2100) este de doua ori mai rapida decât una SDRAM PC133, chiar daca ambele ruleaza la 133 MHz.

În mod uzual, frecventa memoriei nu poate depasi frecventa bus-ului procesorului HTT (hyper transport thread), FSB (front side bus) = viteza de comunicare dintre procesor si chipset-ul placii de baza, care în mod implicit este de 200 MHz. Modelele recente de procesoare Athlon 64 (precum cele cu nucleu Venice sau San Diego) pot folosi un divizor maxim de 250:200, adica 5:4, între memorie si HTT.

Bus-ul HTT poate fi crescut cu oarecare riscuri la 300 MHz sau chiar mai sus (micsorând în acelasi timp multiplicatorul acestuia, astfel încât produsul final sa nu depaseasca 5 x 200), limitarea constituind-o acum placa de baza, eventual controller-ul de memorie al procesorului. De exemplu, un bus HTT de 300 MHz va putea profita de o frecventa a memoriei de pâna la 375 MHz (DDR750), o valoare practic imposibil de atins. HTT crescut nu afecteaza cu nimic performanta (din moment ce frecventa finala a acestuia nu poate depasi 1000 MHz este similar în cazul 5 x 200 sau 4 x 250), dar arhitectura procesoarelor AMD64 nu permite o frecventa a memoriei mai ridicata decât produsul dintre HTT si 5:4 (1,25).

Numite si timing-uri (lantetele) reflecta îndeaproape performanta memoriei, acestea sunt numere ce reprezinta cicluri de tact dintre diferite stadii de prelucrare a informatiilor de catre memorie. Cu cât acestea sunt mai mici, cu atât performantele vor fi mai mari, dar cu atât cresc si sansele ca memoria sa nu le suporte.

Latentele se pot regla din BIOS-ul placii de baza (daca acesta dispune de o astfel de facilitate) sau prin intermediul diverselor utilitare, precum SysTool sau A64Tweaker.

Fiecare bank al memoriei (un bank fiind o grupare de mai multe chip-uri - de multe ori logica) consta într-o matrice uriasa, pentru accesarea unei informatii fiind necesara localizarea unei celule. În acest scop, au loc câteva procese fundamentale: CAS (Column Address Strobe) si RAS (Row Address Strobe), fiecare fiind dedicat selectarii coloanei, respectiv liniei din matrice. RAS-ul consta în câteva etape, prin care informatia este citita sau scrisa: Active (activeaza rândul), Read (citeste informatia), Write (scrie informatia); Precharge (sterge informatiile si face pregatirile pentru reluarea ciclului), desi nu face parte din ciclul RAS, este strâns legat de acesta din motive evidente. Între Active si Read/Write are loc si selectarea coloanei prin intermediul lui CAS, astfel încât la începutul demararii citirii sau scrierii sa existe informatia legata de coordonatele celulei accesate.

Fisiere in arhiva (1):

  • Metode si Tehnici de Overclocking.doc