Studiul Circuitelor de Memorie

I) CIRCUITE DE MEMORIE, CIRCUITE LOGICE PROGRAMABILE

1. Circuite de memorie. Caractere Generale.

1.1 Definiţie

Circuitele de memorie sunt circuite care asigurã posibilitatea de regăsire a

unor informaţii reprezentate sub forma binarã şi care au fost stocate anterior.

1.2 Clasificare

Principalul criteriu de clasificare al memoriilor este după modul de utilizare,

Potrivit căruia memoriile se clasificã astfel:

-Memorie ROM (Read Only Memory), PROM, EPROM – se caracterizează prin faptul că pot fi doar citite în sistemul care le utilizează. Acest tip de memorie nu permite scrierea, ci doar citirea informaţiei. ROM nu este o memorie volatilă. Înregistrarea in acest tip de memorie se face de către producător. Există in schimb memorii EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) a căror conţinut poate fi înscris, dar numai cu dispozitive speciale (inscriptoare de EPROM) şi numai după ce conţinutul lor a fost in prealabil şters prin expunere la radiaţii ultraviolete.

Memoria ROM prezintă avantajele:

- programe utilizate frecvent pot fi disponibile in memoria interna ROM si nu încărcate de pe disc;

- nu se ocupa memorie RAM pentru păstrarea unor programe ale sistemului de operare.

Există la ora actuală memorii de tip ROM care pot fi modificate chiar pe parcursul execuţiei unui program, numite memorii "flash".

-Memorie RAM (Random Access Memory), EEPROM - se caracterizează prin faptul că ele permit atât citirea cât şi înscrierea informaţiei.

Este o memorie cu acces aleator adică datele pot fi scrise sau citite în orice ordine, în contrast cu accesul "secvenţial" de pe o bandă magnetică. Acest tip de memorie este volatilă, adică la decuplarea alimentarii conţinutul ei se pierde. Din acest motiv, ea este o zonă temporară sau programelor introduse de la un periferic de intrare sau încărcate din memoria externă.

STUDIUL CIRCUITELOR DE MEMORIE 2

2. Tipuri de memorii

2.1 Memorii ROM de stocare a datelor

Memoriile ROM (Read Only Memories) sunt circuite de memorie care permit citirea informaţiei înscrisã în prealabil de către fabricant. Aceste memorii sunt nevolatile, adică informaţia nu se distruge la dispariţia tensiunii de alimentare.

Structura lor internă este conceputã matricial, în fiecare nod al matricii fiind memorat cate un bit de informaţie.

Figura.1 Structura de principiu a unei memorii ROM

Liniile matricii (0 ÷ 2n-1) sunt activate de ieşirile unui decodificator ale cărui intrări sunt conectate la liniile de adresare. Coloanele matricii sunt conectate la liniile de date prin intermediul unor amplificatoare având ieşiri three-state.

Semnalul CS realizează selecţia circuitului (el poate controla şi starea ieşirilor). Semnalul OE control numai starea circuitelor de ieşire.

Figura.2 Diagrame de timp pentru

o memorie ROM

Dacã CS = 1, cuvântul aplicat pe intrările de adresã determinã activarea unei linii a matricii de memorare. Dacã în nodurile de pe această linie existã conexiuni pe colonele respective potenţialul va fi determinat de ieşirile decodificatorului, respectiv ”0” logic. Dacã nu sunt realizate conexiuni în noduri, potenţialul coloanelor respective este corespunzător lui „1” logic, determinat prin rezistenţele legate la .

Informaţia de pe cele m coloane de date este prezentatã la ieşire dacã OE = 1.

Pentru funcţionarea corectã este necesarã satisfacerea anumitor condiţii temporale (figura 2), principalii parametri de timp fiind cei de mai jos:

- durata ciclului de citire (intervalul de timp între douã schimbări de adresã)