Amplificator cu Modulare-Demodulare cu Purtatoare Sinusoidale

Imagine preview
(9/10 din 2 voturi)

Acest proiect trateaza Amplificator cu Modulare-Demodulare cu Purtatoare Sinusoidale.
Mai jos poate fi vizualizat cuprinsul si un extras din document (aprox. 2 pagini).

Arhiva contine 1 fisier doc de 111 de pagini .

Profesor indrumator / Prezentat Profesorului: Panoiu Caius

Iti recomandam sa te uiti bine pe extras, cuprins si pe imaginile oferite iar daca este ceea ce-ti trebuie pentru documentarea ta, il poti descarca. Ai nevoie de doar 8 puncte.

Domeniu: Electronica

Cuprins

Cap. 1 Semiconductoare pag. 1
1.1 Noţiuni de fizica semiconductoarelor pag. 1
1.1.1 Structura cristalină pag. 1
1.1.2 Difuzia purtătorilor de sarcină în semiconductor pag. 3
1.1.3 Procese fizice în joncţiunea p-n pag. 4
1.2 Dioda redresoare pag. 9
1.3 Dioda Schottky pag. 10
1.4 Dioda varicap pag. 11
1.5 Diode foto-emisive LED pag. 12
1.6 Tranzistorul bipolar pag. 12
1.7 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune TEC-J pag. 16
1.8 Tranzistoare cu efect de câmp MOS (TEC-MOS) pag. 19
1.9 Tiristorul pag. 24
Cap. 2 Sisteme de achiziţii şi distribuţie de date pag. 28
2.1 Introducere pag. 28
2.2 SAD cu un semnal analogic de intrare pag. 28
2.3 SAD cu mai multe semnale analogice de intrare pag. 31
2.3.1 SAD cu multiplexarea semnalelor analogice de
Intrare pag. 31
2.3.2 SAD cu multiplexarea ieşirilor CEM pag. 34
2.3.3 SAD cu multiplexarea ieşirilor CAN pag. 38
2.4 SDD cu un semnal analogic de ieşire pag. 39
2.5 SDD cu mai multe semnale analogice de ieşire pag. 40
Cap. 3 Traductoare pag. 42
3.1 Traductoare cu reacţie pag. 43
3.2 Traductoare numerice pag. 44
3.3 Traductoare integrate pag. 46
3.4 Traductoare inteligente pag. 46
3.5 Traductoare rezistive de deplasare pag. 48
3.6 Traductoare de inductivitate proprie pag. 50
3.7 Traductoare de proximitate pag. 52
3.8 Traductoare piezoelectrice pag. 55
3.9 Traductoare elastice pentru măsurarea mărimilor mecanice pag. 56
3.9.1 Traductoare elastice de tracţiune-compresie pag. 57
3.9.2 Traductoare elastice de îndoire pag. 57
3.10 Elemente sensibile elastice pag. 58
3.11 Traductoare piezoelectrice de presiune pag. 60
3.12 Termometria rezistivă. Termo-rezistoare metalice pag. 62
3.13 Traductoare integrate pentru măsurarea temperaturii pag. 65
3.14 Traductoare ultrasonice integrate pag. 68
Cap. 4 Proiectarea amplificatorului cu modelare-demodulare cu
Chopper pag. 70
4.1 Amplificatoare cu modulare-demodulare pag. 70
4.1.1 Structura de principiu a unui amplificator cu
modulare-demodulare pag. 70
4.1.2 Amplificator cu modulare-demodulare cu
purtătoare sinusoidală pag. 71
4.1.3 Amplificator cu modulare-demodulare cu Chopper pag. 74
4.1.4 Amplificator stabilizat cu Chopper pag. 76
4.2 Proiectarea filtrelor pag. 77
4.2.1 Filtru RC trece jos pag. 77
4.2.2 Proiectarea filtrului RC tece jos pag. 79
4.3 Schema amplificatorului cu modulare-demodulare pag. 81
4.3.1 Proiectarea circuitului basculant astabil pag. 84
4.3.2 Proiectarea comutatoarelor pag. 88
4.3.3 Proiectarea amplificatorului cu Chopper.
Amplificator operaţional βA 741 pag. 88
4.3.4 Proiectarea amplificatorului de bandă largă
Amplificatorul operaţional βM 301 pag. 91
4.3.5 Schema finală a amplificatorului cu modulare-
demodulare cu purtătoare dreptunghiulară pag. 95
4.4 Tehnologia realizării cablajului imprimat pag. 96
TABEL DE COMPONENTE pag. 98
BIBLIOGRAFIE pag. 99
CUPRINS pag. 100

Extras din document

Capitolul 1

SEMICONDUCTOARE

1.1 Noţiuni de fizica semiconductoarelor

1.1.1 Structura cristalină

Formarea fazei solide a materiei este determinată de apariţia unor forţe de interacţiune între particulele structurale atunci când acestea sunt apropiate la distanţe destul de mici. Pentru a forma o structură stabilă a corpului solid este necesar ca între particule să acţioneze atât forţe de atracţie cât şi de respingere.

În funcţie de natura particulelor se disting patru tipuri de forţe care asigură legătura cristalină şi anume:

- legătură Van der Vals;

- legătură ionică;

- legătură covalentă;

- legătură metalică.

În cele ce urmează vom prezenta legătura covalentă, legătură specifică elementelor din grupa a IV-a (Si, Ge) care sunt elemente pure.

Cele mai utilizate materiale semiconductoare sunt siliciu (Si) care are şi cea mai mare pondere în realizarea dispozitivelor electronice, germaniul (Ge), galiu-arsen (GaAs), indiu-fosfor (InP).

Rezistivitatea electrică a semiconductoarelor este în gama 10־¹ ÷ 10³ Ωcm, fiind mai mare ca a metalelor, dar mai mică ca a izolatoarelor.

Proprietăţile remarcabile ale materialelor semiconductoare se obţin numai printr-o ordonare cât mai perfectă a atomilor în volumul materialului, ordine cunoscută sub numele de monocristal.

Semiconductorul pur din punct de vedere chimic poartă denumirea de semiconductor intrinsec. Reţeaua cristalină a principalelor materiale semiconductoare este de tip diamant. În această reţea fiecare atom se învecinează cu patru atomi uniform distribuiţi în spaţiul reprezentat simbolic (bidimensional) din figura 1.1.

Deoarece concentraţiile de purtători n şi p sunt egale în semiconductorul intrinsec, acesta îşi găseşte puţine aplicaţii.

Realizarea dispozitivelor electronice impune obţinerea unor semiconductoare care să aibă în exces fie goluri (p) fie electron (n). Pentru obţinerea acestora în reţeaua cristalină se introduce controlat o anumită cantitate de impurităţi, adică de atomi diferiţi de cei care formează reţeaua cristalină. Semiconductoarele astfel obţinute poartă denumirea de semiconductoare extrinseci.

Fig.1.1 Legătură covalentă

În funcţie de valenţa atomilor de impurificare se obţin semiconductoare de tip n şi semiconductoare de tip p.

Semiconductori de tip n – se obţin prin impurificarea cu elemente pentavalente (fosfor, arsen, stibiu) numite şi donatoare (figura 1.2). Purtătorii de sarcină generaţi prin impurificare poartă denumirea de purtători de sarcină majoritari.

Fig.1.2 Element de dopare

Din cei cinci electroni de valenţă ai stibiului patru realizează legături covalente cu atomii de siliciu vecini, iar al cincilea rămâne liber, la temperatură normală.

În cazul acestor semiconductori conducţia este determinată în special de electronii proveniţi din banda de conducţie de pe nivelele donoare.

Semiconductori de tip p – se obţin prin impurificarea cu elemente trivalente (bor, indiu, galiu, aluminiu) numite şi acceptoare (figura 1.3).

Fisiere in arhiva (1):

  • Amplificator cu Modulare-Demodulare cu Purtatoare Sinusoidale.doc

Alte informatii

Universitatea Politehnica Timisoara,Facultatea de Inginerie Hunedoara