Cuprins

INTRODUCERE 3
CAPITOLUL I
1.1 IDENTIFICAREA COMPONENTELOR PE O PLACA DE BAZA 7
1.2 ROLUL SI FUNCTIONALITATEA COMPONENTELOR 8
1.3 CONSIDERENTE PRACTICE 11
1.4 O NOUA ARHITECTURA A PLACII DE BAZA 14
1.5 CHIPSET – UL 16
1.6 PROCESORUL 19
CAPITOLUL II
2.1 MEMORIA INTERNA 25
2.2 MEMORIA CONVENTIONALA (DE BAZA) 26
2.3 ZONA DE MEMORIE SUPERIOARA 26
2.4 MEMORIA ROM DE PE PLACILE ADAPTOARE SI RAM CU DESTINATIE SPECIALA 27
2.5 MEMORIA BIOS DE PE PLACA DE BAZA 27
2.6 MEMORIA EXTINSA 28
2.7 MEMORIA RAM VIDEO 28
CAPITOLUL III
3.1 ABIT BE6 30
3.1.1 Specificatii 31
3.1.2 Overclockarea 32
3.1.3 Performanta 33
3.1.4 Testele WinBench 99 si Testele WinStone99 33
3.1.5 Concluzia 36
3.2 SCHEMA DE PRINCIPIU A UNUI CALCULATOR COMPATIBIL IBM-PC AT 37
3.2.1 Interfete si dispozitive de intrare/iesire 38
3.2.2 Organizarea fizica a componentelor sistemului 40
BIBLIOGRAFIE 42

Extras din proiect

Calculul rezistentei de iesire a surselor de curent constant si oglinzilor de curent cu tranzistoare bipolare

Cazul 1. Rezistenta de iesire a unui tranzistor în conexiune EC. Relatia este dedusa la amplificatorul cu un tranzistor în conexiune EC(folosind parametri h):

Re H (RBech+h11e) / (RBechh22e+”he) cu :

-”he=h11eh22e-h12eh21e - determinantul matricii cu parametri he

-valorile tipice ale parametrilor he de la curenti mici, de exemplu la 20¼A, sunt h11e=200 k©; h21e=200; h12e=10-5; h22e= 0,2•10-6 S ; rezulta: ”he= h11eh22e = 0,04

Deci la curenti de colector mici:

Re=(RBech+h11e) / (RBechh22e+ h11eh22e) = 1/h22e H 5 M© (I)

(1)

Desigur, este posibila si folosirea parametrilor „ r ”. Intre acestia si parametrii h se considera relatiile de legatura reHh11e , ²H h21e si rc sau roH1/ h22e si rezulta o valoare egala aproximativ cu ro.

Cazul 2. Rezistenta de iesire a unui tranzistor cu rezistenta în emitor. Relatia este dedusa la amplificatorul cu R.N.S.S locala:

Re= (RBech+h11e+h21eRE) / [(RBech+RE)h22e+”he)] = (RBech+h11e+h21eRE) / (RBech+RE+h11)h22e (deoarece ”he = h11eh22e ), care este mai mare decât în cazul 1 datorita termenului h21eRE .

Obs: când RE devine mare Re => h21eRE/h22eRE = h21e/h22e = h21e=(1/h22e) deci este de h21e ori mai mare decât în cazul 1. Se vede astfel mecanismul de crestere a rezistentei de iesire.

(2)

Calculul rezistentei de iesire a surselor de curent cu tranzistoare MOS

Se cunoaste circuitul echivalent pentru semnal mic si joasa frecventa al tranzistorului MOS cu canal indus. Apar urmatoarele situatii în sursele de curent

Cazul 1. Tranzistorul MOS fara rezistenta în circuitul sursei.

(3)

Calculul lui Re se face cu conditia eg=0 (scurtciruit la intrare – teorema Thévenin), rezulta deci simplu: