Elaborarea Tehnologiei de Confecționare a Circuitului Integrat CDB 408 E

Domeniu: Electronică

Conține 1 fișier: doc

Pagini : 25 în total

Cuvinte : 4602

Mărime: 367.84KB (arhivat)

Publicat de: Dorel Demeter

Puncte necesare: 8

Profesor îndrumător / Prezentat Profesorului: Viorel Trofim

Ministerul Educaţiei şi Ştiinţei al Republicii Moldova Universitatea Tehnică a Moldovei Catedra Microelectronică şi Dispozitive Semiconductoare

Descarcă acum

Cuprins Extras Bibliografie Preview

Cuprins

I Scopul lucrării
II Schema de principiu
III Determinarea puterii de disipare a rezistoarelor
IV Calculul dimensiunilor rezistoarelor
V Fişa tehnologică
1. Prelucrarea plachetei.
2 0xidarea termică a plachetei
3. Fotolitografie
4. Procesul de difuzie a stratului îngropat
5. Înlăturarea stratului de oxid de siliciu.
6. Procesul de creştere epitaxială.
7. Oxidarea termică.
8. Procesul de fotolitografie la obţinerea stratului de izolare.
9. Deschiderea ferestrelor în oxid pentru difuzia stratului de izolare
10. Difuzia stratului de izolare
11. Oxidarea termică
12. Procesul de fotolitografie la obţinerea bazei
13 Deschiderea ferestrelor în oxid pentru difuzia bazei
14. Difuzia bazelor tranzistorilor
15. Oxidarea termică.
16. Deschiderea ferestrelor în oxid pentru difuzia emitorilor.
17. Procesul de difuzie a emitorilor.
18. Oxidarea termică
19. Procesul de fotolitografie pentru obţinerea conductorilor şi suprafeţelor de contact
20. Deschiderea ferestrelor în oxid pentru obţinerea conduăorilor si suprafeţelor de contact
21. Metalizarea suprafeţei plachetei
22. Procesul de fotolitografie pentru obţinerea conductorilor si suprafeţelor de contact
23. Corodarea suprafeţei metalice.
24. Oxidarea termică
25. Fotolitografia pentru contactele picioruşelor schemei
26. Deschiderea ferestrelor în oxid pentru obţinerea contactelor picioruşelor schemei
27. Conectarea cristalului la carcasa CI.
28. Conectarea ieşirilor cristalului
29. Ermetizarea cristalului
VI. Topologia circuitului.
VII.Mastile.
VIII.Bibliografie.

Extras din proiect

I. Scopul proiectului: proiectarea circuitului integrat şi descrierea tehnologiei de producere a schemei electrice CDB 408 E

II. Schema de principiu.

Schema Electrica

CDB 408 E

Fig.1

Parametrii electrici

Tensiunea de alimentare 5V

Tabelul de adevar

A B Y

1 1 1

0 x 0

x 0 0

III. Determinarea puterii de disipare a rezistoarelor.

Cercetam schema pentru toate cazurile posibile a semnalului logic la intrare.

Pentru acesasta tranzistorii care se afla in regim acticv ii consideram puncte, iar tranzistorii care se afla in regim de taiere ii consideram ca dielectrici, shi consideram ca prin ei nu curge curent. Rezistenta diodelor nu se ia in consideratie shi ele se considera puncte de contact.