Modelarea, Calcularea și Proiectarea Tranzistorului Bipolar BC337

Domeniu: Electronică

Conține 1 fișier: doc

Pagini : 17 în total

Cuvinte : 1625

Mărime: 538.13KB (arhivat)

Publicat de: Leontin Istrate

Puncte necesare: 6

Profesor îndrumător / Prezentat Profesorului: Vasile Ionescu

Universitatea Tehnica a Moldovei Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică Catedra MDS

Descarcă acum

Cuprins Extras Bibliografie Preview

Extras din proiect

Scopul proiectului:

Proiectarea şi calculul parametrilor tranzistorului bipolar (TB). Simularea caracteristicilor tranzistorului proiectat in PSpice.

Selectarea tranzistorului:

În această lucrare voi proiecta tranzistorul bipolar n – p – n BC337 produs de compania General Semiconductors

Date mecanice:

• Capsula:TO-92, plastic

• Greutate: aprox.0,18g

Performanţele maxime şi caracteristicile termice:

Parametru Simbol Valoarea Unit

Tensiunea Colector – Emiter VCES 50 V

Tensiunea Bază – Emiter VEB0 5 V

Curentul de colector IC 800 mA

Curentul maxim de colector ICM 1 A

Curentul Bazei IB 100 mA

Puterea disipată la Tamb = 25°C Ptot 625 mW

Temperatura joncţiunii Tj 150 °C

Intervalul temperaturilor de depozitare Ts -65 to +150 °C

Caracteristici electrice: (tjoncţ=250C)

Parametru Simbol Condiţii de test min tipic max unit

Coeficientul de transfer în curent hfe VCE=1V, IC=100mA 160 250 400 –

Curentul de tăiere Colector - Emiter ICES VCE=45V

VCE=45V,Tamb=1250C –

– 2

– 100

10 nA

µA

Capacitatea Bază – Colector CCB0 VCB=10V, f=1MHz – 12 – pF

Tensiunea Bază – Emiter VEB VCE=1V, IC=300mA – – 1,2 V

Tensiunea de străpungere Bază - Emiter V(BR)EB IE=0,1 mA 5 – – V

Tensiunea de străpungere Colector - Emiter V(BR)CES IC=0,1 mA

IC=10 mA 50

45 –

– –

– V

Tensiunea de saturaţie a Colectorului VCEsat IC=500 mA, IB=50mA – – 0,7 V

Frecvenţa de lucru fT VCE=5V, IC=10mA – 100 – MHz

Caracteristicile statice ale tranzistorului:

Schema de simulare a tranzistorului bipolar BC337

Selectarea materialului:

Conform condiţiilor necesare, cel mai potrivit material pentru confecţionarea tranzistorului este Siliciul. Temperatura maximă de funcţionare se încadrează în această limită. Frecvenţa de lucru a tranzistorului de asemenea este destul de joasă (100MHz) şi din acest punct de vedere Si este potrivit.

De asemenea Siliciul este un material bun pentru că are o tehnologie de prelucrare bine pusă la punct şi se poate de obţinut relativ simplu şi ieftin faţă de alte materiale semiconductoare, cum ar fi GaAs, GaP etc.