Extras din proiect
Scopul proiectului:
Proiectarea şi calculul parametrilor tranzistorului bipolar (TB). Simularea caracteristicilor tranzistorului proiectat in PSpice.
Selectarea tranzistorului:
În această lucrare voi proiecta tranzistorul bipolar n – p – n BC337 produs de compania General Semiconductors
Date mecanice:
• Capsula:TO-92, plastic
• Greutate: aprox.0,18g
Performanţele maxime şi caracteristicile termice:
Parametru Simbol Valoarea Unit
Tensiunea Colector – Emiter VCES 50 V
Tensiunea Bază – Emiter VEB0 5 V
Curentul de colector IC 800 mA
Curentul maxim de colector ICM 1 A
Curentul Bazei IB 100 mA
Puterea disipată la Tamb = 25°C Ptot 625 mW
Temperatura joncţiunii Tj 150 °C
Intervalul temperaturilor de depozitare Ts -65 to +150 °C
Caracteristici electrice: (tjoncţ=250C)
Parametru Simbol Condiţii de test min tipic max unit
Coeficientul de transfer în curent hfe VCE=1V, IC=100mA 160 250 400 –
Curentul de tăiere Colector - Emiter ICES VCE=45V
VCE=45V,Tamb=1250C –
– 2
– 100
10 nA
µA
Capacitatea Bază – Colector CCB0 VCB=10V, f=1MHz – 12 – pF
Tensiunea Bază – Emiter VEB VCE=1V, IC=300mA – – 1,2 V
Tensiunea de străpungere Bază - Emiter V(BR)EB IE=0,1 mA 5 – – V
Tensiunea de străpungere Colector - Emiter V(BR)CES IC=0,1 mA
IC=10 mA 50
45 –
– –
– V
V
Tensiunea de saturaţie a Colectorului VCEsat IC=500 mA, IB=50mA – – 0,7 V
Frecvenţa de lucru fT VCE=5V, IC=10mA – 100 – MHz
Caracteristicile statice ale tranzistorului:
Schema de simulare a tranzistorului bipolar BC337
Selectarea materialului:
Conform condiţiilor necesare, cel mai potrivit material pentru confecţionarea tranzistorului este Siliciul. Temperatura maximă de funcţionare se încadrează în această limită. Frecvenţa de lucru a tranzistorului de asemenea este destul de joasă (100MHz) şi din acest punct de vedere Si este potrivit.
De asemenea Siliciul este un material bun pentru că are o tehnologie de prelucrare bine pusă la punct şi se poate de obţinut relativ simplu şi ieftin faţă de alte materiale semiconductoare, cum ar fi GaAs, GaP etc.
Preview document
Conținut arhivă zip
- Modelarea, Calcularea si Proiectarea Tranzistorului Bipolar BC337.doc