Proiectarea unui Tranzistor Bibolar Npn

Scopul proiectului:

Priectarea şi calculul parametrilor tranzistorului bopolat (TB). Simularea caracteristicilor tranzistorului priectat in PSpice.

Selectarea tranzistorului:

În acestă lucrare voi proiecta tranzistorul bipolar n – p – n BC846 produs de compania General Semiconductors

1 – baza

2 – emiter

3 – colector

Date mecanice:

- Capsula:SOT-23, plastic

Parametrii si valorile limita:

Parametru Simbol Valoarea Unit

Tensiunea Colector – Emiter VCE0 65 V

Tensiunea Bază – Emiter VEB0 6 V

Tensiunea Colector – Baza VCB0 80 V

Curentul de colector IC 100 mA

Curentul maxim de colector ICM 200 mA

Curentul Bazei IB 200 mA

Puterea disipată la Tamb = 25°C Ptot 250 mW

Temperatura joncţiunii Tj 150 °C

Intervalul temperaturilor de depozitare Ts -65 to +150 °C

Caracteristici electrice: (tjoncţ=250C)

Parametru Simbol Condiţii de test min tipic max unit

Coeficientul de transfer în curent hfe VCE=5V, IC=2mA 111 250 450 –

Curentul de tăiere Colector - Baza ICB0 VCB=30V IE=0A

VCE=30V,Tamb=1500C –

– -

– 15

5 nA

µA

Curentul de tăiere Emitor - Baza IEB0 VEB=5V IE=0A - - 100 nA

Capacitatea Bază – Colector CCB0 VCB=10V, f=1MHz – 12 – pF

Tensiunea Bază – Emiter VEB VCE=5V, IC=2mA 580 660 700 mV

Tensiunea de străpungere Bază - Emiter V(BR)EB IE=0,1 mA 6 – – V

Tensiunea de străpungere Colector - Emiter V(BR)CES IC=0,1 mA 65 –

–

V

Tensiunea de saturaţie a Colectorului VCEsat IC=10 mA, IB=0.5mA – 90 200 mV

Frecvenţa de lucru fT VCE=5V, IC=10mA – 100 – MHz

Capacitatea Colectorului CC VCB=10V;IE=0 A - 2 3 pF

Capacitatea Emitorului CE VBE=0.5V;IC=0 A - 11 - pF

Caracteristicile statice ale tranzistorului:

Schema de simulare a tranzistorului bipolar BC846

Selectarea materialului:

Reesind din diapazonul termic de lucru al tranzistorului pe care dorim sa-l proiectam cel mai potrivit material este Si fiindca T max a acestui material este mai mare ca valoare temperaturii maxime a tranzitsorului . De asemenea frecventa relativa joasa 100MHz de functionare a tranzisotrului este satisfacuta de caracteristicile Siliciului.