Tranzistorul Bipolar KT361

TLC 0 44. 0 0 1. 005.

Mod Coala N document Semnat Data

A elaborat Crasnosciov.S Litera Coala Coli

A verificat Bejan N. Tranzistorul KT361 Î 2 37

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT361.

Tranzistorul KT361 este de structura p-n-p se fabrică prin procesul de aliere. Procesul de aliere poate avea loc prin topirea selectivă a unui material semiconductor, topire realizată cu ajutorul unui fascicul de electroni. În acest scop pe o plăcuţă de semiconductoare de siliciu se aplică un strat ales convenabil (de exemplu, siliciu de tip p sau o combinaţie a fosforului ). Atomii pentavalenţi de fosfor se aliază cu materialul topit, astfel încît după topire zona recristalizată formează o joncţiune cu materilul de bază. Geometria joncţiunii poate fi aleasă prin balciere a fasciculului de electroni.

Tehnologia de fabricare a tranzistorului prin aliere.

Pentru a realiza procesul de difuzie porţiunea înafara căreia noi vrem să realizăm difuzia o acoperim cu o mască de SiO2 care protejează părţile respective ale plachetei de atomii ce difuzeză. Stratul de oxid cu funcţia de mascare îndeplineşte în acelaşi timp şi funcţia de apărare de la influienţa diferitor factori externi. Regiunea colectorului se face cu mult mai mare decît regiunea emitorului astfel ca cît mai mulţi purtători de sarcină emişi de emitor sa ajun la colector. Difuzia este procesul cu ajutorul căruia pe suprafaţa sau în interiorul plachetei semiconductoare primim p sau n regiuni prin metoda introducerii impurităţilor acceptoare sau donoare. Pătrunderea impurităţilor în interiorul plachetei semiconductoare are loc din cauza difuziei atomilor, care se află în componenţa vaporilor în atmosfera cărora este introdusă placheta la temperatură înaltă şi care are o concentraţie a atomilor mult mai mare decît a plachetei.

2. Procedee fizice în tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.

Structura sinplificată a unui tranzistor de tip p-n-p este prezentată în fig. 1,a , iar reprezentarea schematică a tranzistorului în fig. 1,b.

La aplicarea tensiunei la joncţiunile tranzistorului bipolar, se observă că o joncţiune este polarizată direct iar alta indirect. Astfel la conectarea directă a tranzistorului, joncţiunei căreia i s-a aplicat tensiune pozitivă se numeşte joncţiunea emitorului, iar stratul exterior ce-i corespunde se numeşte emitor (E); strtul din mijloc se numeşte bază (B). Cea dea doua joncţiune polarizată indirect se numeşte joncţiunea colectorului iar stratul exterior ei – colector (C).

Deoarece straturile exterioare ale emitorului şi colectorului sunt de acelaşi tip în dependenţă de conectarea tranzistorului pot fi schimbate cu locul. Acestă conectare se numeşte inversoare. La conectarea inversoare parametrii tranzistorilor reali se deosebesc esenţial de parametrii tranzistorilor conectaţi direct.

În dependenţă de tehnologia de fabricare a tranzistorului concentraţia impurităţilor în bază poate fi distribuită uniform sau neuniform. La distrbuţia uniformă lipseşte cîmpul electric intern astfel purtătorii de sarcină, nimeriţi în bază, se mişcă în ea datorită procesului de difuzie. Astfel de tranzistoare se numesc fără drift.

La distribuţia neuniformă a impurităţilor în bază există un cîmp electric interior şi purtătorii minoritari se mişcă în bază datorită procesului de difuzie şi de drift, însă procesul de drift este majoritar. Aceşti tranzistori se numesc tranzistori cu drift.