Diode

Imagine preview
(7/10 din 3 voturi)

Acest proiect trateaza Diode.
Mai jos poate fi vizualizat cuprinsul si un extras din document (aprox. 2 pagini).

Arhiva contine 1 fisier doc de 31 de pagini .

Profesor indrumator / Prezentat Profesorului: Vasile Ionescu

Iti recomandam sa te uiti bine pe extras, cuprins si pe imaginile oferite iar daca este ceea ce-ti trebuie pentru documentarea ta, il poti descarca. Ai nevoie de doar 5 puncte.

Domeniu: Electrotehnica

Cuprins

Cuprins
1.CERINTE MINIMALE LEGATE DE STRUCTURA PROIECTULUI DE SPECIALITATE
2.ARGUMENT
3.CARACTERISTICA TENSIUNE-CURENT A DIODEI REDRESOARE
4.DESCRIEREA ANALITICA A CARACTERISTICII DIODEI. DATE DE CATALOG
5.COMPORTAREA DIODEI LA SEMNAL MIC. REZISTENTA DINAMICA
6.DIODA STABILIZATOARE (ZENER)
7.MODELE LINIARE PE PORTIUNI PENTRU DIODE
8.CIRCUITE DE REDRESARE
Bibliografie

Extras din document

ARGUMENT

Lumea moderna, dominata de efectele ultimelor descoperiri tehnico-stiintifice, de mobilitatea profesiunilor si a fortei de munca, solicita astazi, mai mult ca oricând, formarea personalitatilor rapid adaptabile la noile schimbari, ca posibile sa caute solutii originale la problemele din ce în ce mai complexe si mai neprevazute.

Evolutia rapida a civilizatiei impune scolii contemporane pregatirea generatiilor tinere astfel încât acestea sa se poata integra, fara dificultati, în societatea informationala de mâine.

Automatizarea si cibernetizarea implica tot mai multe procesele intelectuale în prelucrarea si interpretarea datelor oferite de computere intensificând domeniile conceptiei, comenzii, controlului, si organizarii muncii.

Tehnologia conditioneaza cercetarea stiintifica moderna, devenind totodata o componenta indispensabila a culturii generale.

Educatiei îi revine, mai mult ca oricând, un rol decisiv în dezvoltarea sociala si transformarile calitative ale vietii.

Ca urmare, programul de instruire în scoala trebuie sa fie conceput din perspectiva pedagogiei prospective, tinerii fiind învatati sa descopere noi instrumente ale cunoasterii, sa puna noi probleme, sa gaseasca noi solutii.

Orizontul de cultura generala nu mai este complet fara modulul tehnic si cel tehnologic, care permit absolventilor nu numai policalificari rapide ci si întelegerea mai profunda a sensului marilor inventii si descoperiri, stimulându-le curiozitatea stiintifica, spiritul de cercetare si descoperire.

În acest context, electronica este disciplina de învatamânt careia îi revine o responsabilitate deosebita.

Extraordinara sa dezvoltare, patrunderea în toate domeniile de activitate stiintifico- tehnice, industriale si economico-sociale impun pregatirea unei forte de munca, atât la nivel mediu cât si la nivel superior, în rezonanta cu cerintele actuale ale societatii.

În lucrarea de fata, se expune Proiectul Diodei Semiconductoare.

DIODE SEMICONDUCTOARE

Diodele sunt privite din punct de vedere al comportarii la borne si al aplicatiilor ; sunt doar mentionate unele aspecte de fizica jonctiunii. Ca dispozitiv prin esenta neliniar, dioda permite evidentierea metodelor de liniarizare pe portiuni si analiza grafica a circuitelor. Intelegerea comportarii statice, respectiv la variatii a circuitelor cu tranzistoare va fi mult facilitata de tratarea în acest capitol a unor probleme similare pentru cazul mai simplu, al diodelor.

1. CARACTERISTICA TENSIUNE-CURENT A DIODEI REDRESOARE

Dispozitiv cu doua terminale, dioda redresoare este în esenta o jonctiune pn. Structura dispozitivului, simbolul de circuit si aspectul fizic (pentru o dioda particulara), se prezinta în fig.1. Prin jonctiune se întelege zona de trecere de la semiconductorul de tip p la semiconductorul de tip n, in aceeasi retea cristalina continua. Se evidentiaza continuitatea retelei cristaline pentru ca simpla punere în contact mecanic a doua pastile de semiconductor p, respectiv n nu asigura obtinerea unei jonctiuni. De îndata ce jonctiunea este formata, o parte din electronii liberi din zona de tip n traverseaza jonctiunea si ocupa o parte din golurile din zona de tip p.

Fig 1 Dioda redresoare:structura(a) simbol de circuit (b) si aspect fizic (c)

Migrarea electronilor are ca efect ca, în proximitatea jonctiunii, în zona de tip n ramîne o sarcina fixa pozitiva, în timp în zona de tip p se formeaza o sarcina, fixa negativa. Aceste sarcini spatiale fixe determina la nivelul jonctiunii o bariera de potential care, la echilibru, se opune migrarii în continuare a electronilor.

Este important ca bariera de potential poate fi controlata prin tensiunea aplicata din exterior între terminalele (bornele) dispozitivului. Astfel, daca tensiunea uD are plusul de anod (terminalul aferent zonei de tip p) si minusul la catod (terminalul aferent zonei de tip n), bariera de potential

Fisiere in arhiva (1):

  • Diode.doc

Alte informatii

Proiect despre Diodele semiconductoare